[发明专利]一种IGZO有源层、氧化物薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种IGZO有源层的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在衬底基板上沉积第一金属层、栅绝缘层后，在所述栅绝缘层上沉积IGZO材料，形成IGZO薄膜；

对所述IGZO薄膜表面采用氩气或氦气进行等离子清洗处理，调整所述IGZO薄膜表面的元素含量，使膜面中的Ga含量和Zn含量上升，O含量和In含量下降，并形成IGZO有源层，IGZO有源层经过蚀刻液后，IGZO有源层中的Ga含量和Zn含量降低，O含量和In含量上升；其中，所述等离子清洗所采用的功率为1000-6000瓦；气体压力为30-70毫托，气体流量为200-2000标准毫升/分钟；处理时间为0-120秒。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子清洗所采用的功率为3000-4000瓦；气体压力为30-50毫托；气体流量为500-1000标准毫升/分钟，处理时间为5-20秒。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括：

对经过等离子清洗处理的IGZO薄膜，在其表面上进行光阻涂布、曝光、显影、蚀刻，完成IGZO的图案化，形成IGZO有源层。

4.一种氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

提供一衬底基板，并在上面沉积第一金属层，形成栅极；

在所述第一金属层上沉积栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上沉积IGZO材料，形成IGZO薄膜，对所述IGZO薄膜的表面采用氩气或氦气进行等离子清洗处理，调整所述IGZO薄膜表面的元素含量，使膜面中的Ga含量和Zn含量上升，O含量和In含量下降，形成IGZO有源层，IGZO有源层经过蚀刻液后，IGZO有源层中的Ga含量和Zn含量降低，O含量和In含量上升；其中，所述等离子清洗所采用的功率为1000-6000瓦；气体压力为30-70毫托，气体流量为200-2000标准毫升/分钟；处理时间为0-120秒；

在所述IGZO有源层上沉积第二金属层，并经过湿刻形成源极和漏极。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述等离子清洗所采用的功率为3000-4000瓦；气体压力为30-50毫托；气体流量为500-1000标准毫升/分钟，处理时间为5-20秒。

6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，在所述栅绝缘层上沉积IGZO材料，形成IGZO薄膜，对所述IGZO薄膜的表面采用氩气或氦气进行等离子清洗处理，形成IGZO有源层具体为：

在所述栅绝缘层上以物理气相沉积法沉积IGZO材料，形成IGZO薄膜；

以氩气或氦气对所述IGZO薄膜的表面进行等离子清洗处理；

对经过等离子清洗处理的IGZO薄膜，在其表面上进行光阻涂布、曝光、显影、蚀刻，完成IGZO的图案化，形成IGZO有源层。

7.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，在所述栅绝缘层上沉积IGZO材料，形成IGZO薄膜，对所述IGZO薄膜的表面采用氩气或氦气进行等离子清洗处理，形成IGZO有源层具体为：

在所述栅绝缘层上以物理气相沉积法沉积IGZO材料，形成IGZO薄膜；

以氩气或氦气对所述IGZO薄膜的表面进行等离子清洗处理，形成IGZO有源层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述IGZO有源层上沉积第二金属层，并经过湿刻形成源极和漏极的步骤具体为；

在所述IGZO有源层上沉积第二金属层；

在所述第二金属层上涂布光刻胶；

对外围的第二金属层以及IGZO薄膜进行蚀刻处理；

对所述光刻胶进行减薄处理，并通过湿刻处理使第二金属层形成源极和漏极。