[发明专利]一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法及系统

权利要求书

1.一种对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法，其特征在于，包括：

对BJT器件进行辐照前电学特性测试，提取BJT器件的辐照前器件模型参数；所述辐照前器件模型参数包括正向电流发射系数、反向电流发射系数、理想正向放大倍数以及理想反向放大倍数；

对所述BJT器件进行辐照实验，并在退火后重新进行电学特性测试，获取不同辐照条件下对应的多余基极电流；所述辐照条件包括总剂量和剂量率；

根据所述多余基极电流确定辐照条件-多余基极电流关系；

以二极管模型为框架，利用半导体器件建模软件提取所述多余基极电流对应的寄生二极管模型参数；所述寄生二极管模型参数包括饱和电流、发射系数以及结电容；

根据所述寄生二极管模型参数确定多余基极电流-寄生二极管模型参数关系；

根据所述辐照条件-多余基极电流关系以及所述多余基极电流-寄生二极管模型参数关系，确定寄生二极管模型参数与辐射条件之间的对应关系；

根据所述辐照前器件模型参数、所述寄生二极管模型参数以及所述对应关系建立辐照环境下的BJT器件辐照模型；

根据所述BJT器件辐照模型对辐照后的含有BJT器件的电路进行仿真。

2.根据权利要求1所述的仿真方法，其特征在于，所述对BJT器件进行辐照前电学特性测试，提取BJT器件的辐照前器件模型参数，具体包括：

测试正反向V_BE-I_C/I_B曲线特性、测试正反向V_CE-I_C曲线、电压-电容测试以及电阻测试，确定BJT电学特性；

根据所述BJT电学特性，利用半导体器件建模软件提取BJT器件的辐照前器件模型参数。

3.根据权利要求1所述的对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法，其特征在于，所述根据所述辐照前器件模型参数、所述寄生二极管模型参数以及所述对应关系建立辐照环境下的BJT器件辐照模型，具体包括：

利用Verilog-A语言，将所述辐照前器件模型参数、所述寄生二极管模型以及所述寄生二极管模型参数与辐射条件之间的对应关系整合，建立辐照环境下的BJT器件辐照模型。

4.根据权利要求1所述的对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法，其特征在于，所述BJT器件包括不同类型不同工艺与尺寸的硅基NPN或PNP器件。

5.根据权利要求1所述的对BJT器件的电路辐照后特性的仿真方法，其特征在于，所述寄生二极管包括第一二极管以及第二二极管；

所述第一二极管的一极与所述BJT器件的基极相连接，所述第一二极管的另一极与所述BJT器件的发射极相连接；

所述第二二极管的一极与所述BJT器件的基极相连接，所述第二二极管的另一极与所述BJT器件的集电极相连接。