[发明专利]垂直腔表面发射激光器薄晶片弯曲控制

权利要求书

1.一种垂直腔表面发射激光器VCSEL晶片，包括：

基底层；

外延层，所述外延层在所述基底层上；以及

应变补偿层，所述应变补偿层用于在所述VCSEL晶片变薄之后控制所述VCSEL晶片的弯曲，

其中所述应变补偿层被布置在所述基底层的外延侧上的所述外延层的外侧，并且在阳极层的至少一部分和所述外延层之间，并且

其中所述应变补偿层通过至少部分地补偿所述VCSEL晶片的所述外延层中的压缩应变来控制变薄的VCSEL晶片的弯曲。

2.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层是具有在从0.2微米至0.7微米的范围内的厚度的金属层。

3.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层是镍-铬(NiCr)层、铂(Pt)层或者铬(Cr)层。

4.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层被布置在所述阳极层的部分之间。

5.如权利要求4所述的VCSEL晶片，其中粘合层被布置在所述应变补偿层和所述阳极层的所述至少一部分之间，所述粘合层与促进所述应变补偿层和所述阳极层的所述至少一部分之间的粘合相关。

6.如权利要求5所述的VCSEL晶片，其中所述粘合层是具有在从0.005微米至0.03微米的范围内的厚度的钛(Ti)层。

7.如权利要求4所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层部分地重叠所述阳极层的一部分，以便减少或者最小化与所述应变补偿层相关的电阻。

8.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层覆盖所述VCSEL晶片的大部分表面。

9.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层被至少部分地嵌入在介电钝化层中。

10.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层被图案化以包括开口，光经由所述开口通过所述VCSEL晶片的VCSEL来发射。

11.如权利要求10所述的VCSEL晶片，其中选择所述应变补偿层的厚度以补偿由所述开口引起的由所述应变补偿层提供的应变补偿的减小。

12.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层基于所述应变补偿层的应力-厚度乘积来提供应变补偿。

13.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述应变补偿层的积分的应力-厚度乘积是至少400兆帕-米(MPa-m)。

14.如权利要求1所述的VCSEL晶片，其中所述VCSEL晶片的VCSEL是底部发射VCSEL。

15.一种垂直腔表面发射激光器VCSEL，包括：

基底层；

外延层，所述外延层在所述基底层上；以及

应变补偿层，所述应变补偿层用于通过至少部分地补偿变薄的VCSEL晶片的所述外延层中的压缩应变来控制所述变薄的VCSEL晶片的弯曲，

其中所述应变补偿层被布置在所述基底层的外延侧上的阳极层的部分之间，或者

其中所述应变补偿层被布置在所述基底层的外延侧上的所述外延层的外侧，并且在阳极层的至少一部分和所述外延层之间。

16.如权利要求15所述的VCSEL，其中所述应变补偿层是具有在从0.2微米至0.7微米的范围内的厚度的金属层。

17.如权利要求15所述的VCSEL，其中所述应变补偿层是镍-铬(NiCr)层、铂(Pt)层或者铬(Cr)层。