[发明专利]一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法在审

申请号：	201810298489.3	申请日：	2018-03-30
公开（公告）号：	CN110129883A	公开（公告）日：	2019-08-16
发明（设计）人：	汤洪明;傅林坚;刘黎明;刘赛波	申请（专利权）人：	杭州慧翔电液技术开发有限公司
主分类号：	C30B29/06	分类号：	C30B29/06;C30B30/04;C30B15/00
代理公司：	北京品源专利代理有限公司 11332	代理人：	胡彬
地址：	310030 浙江省杭州市西湖***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	磁体结构副线圈直拉单晶主线圈磁控主动屏蔽单晶炉漏磁场磁场半导体制造技术电流方向同轴设置线圈设置线圈通电制造成本中心对称周向设置反方向有效地外部减小串联抵消
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【权利要求书】：

1.一种用于磁控直拉单晶的磁体结构，其特征在于，包括：多个串联且周向设置于单晶炉(10)外部的线圈(1)，所述线圈(1)呈两两对应设置，且对应设置的两个线圈(1)以单晶炉(10)的中心对称，每一所述线圈(1)包括同轴设置的主线圈(11)和副线圈(12)，线圈(1)通电时，所述主线圈(11)和所述副线圈(12)内的电流方向相反。

2.根据权利要求1所述的用于磁控直拉单晶的磁体结构，其特征在于，所述副线圈(12)设置于所述主线圈(11)远离所述单晶炉(10)的一侧，且所述主线圈(11)和所述副线圈(12)之间设置有预设距离。

3.根据权利要求1所述的用于磁控直拉单晶的磁体结构，其特征在于，所述线圈(1)的中心轴线垂直于所述单晶炉(10)的中心轴线。

4.根据权利要求3所述的用于磁控直拉单晶的磁体结构，其特征在于，相邻的所述线圈(1)的中心轴线之间设有夹角。

5.根据权利要求1所述的用于磁控直拉单晶的磁体结构，其特征在于，还包括低温容器(2)，所述低温容器(2)设置于所述单晶炉(10)外，所述线圈(1)设置于所述低温容器(2)内。

6.根据权利要求5所述的用于磁控直拉单晶的磁体结构，其特征在于，所述低温容器(2)内填充有低温液体，所述线圈(1)置于所述低温液体内。

7.根据权利要求1所述的用于磁控直拉单晶的磁体结构，其特征在于，所述线圈(1)为超导线圈。

8.根据权利要求4所述的用于磁控直拉单晶的磁体结构，其特征在于，所述线圈(1)的数量为四个，包括两对对应设置的线圈(1)，相邻的线圈(1)的中心轴线呈预设角度。

9.根据权利要求8所述的用于磁控直拉单晶的磁体结构，其特征在于，所述预设角度为50°-70°。

10.一种磁控直拉单晶的方法，其特征在于，包括如下步骤：

在单晶炉(10)外布置权利要求1-9任一所述的磁体结构，并对磁体结构通电；

将单晶炉(10)内设置加热器(20)，加热器(20)对放置有晶块的坩埚(30)进行加热；

通过直拉法得到单晶硅。