[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201810298848.5 | 申请日: | 2018-03-30 |
公开(公告)号: | CN109148511A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 房贤圣;金娥珑;朴正善;李德重;郑知泳 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开口 像素电极 显示装置 中间层 像素限定层 无机层 导电 邻近 端部延伸 发射层 衬底 凸部 申请 | ||
1.一种显示装置,包括:
第一像素电极和第二像素电极,设置成在衬底上彼此邻近;
像素限定层,包括对应于所述第一像素电极的第一开口、对应于所述第二像素电极的第二开口以及与所述第一开口邻近的第一凸部;
第一中间层,设置在所述第一像素电极上且布置成与所述第一开口对应,并且包括第一发射层;以及
第一导电无机层,设置在所述第一中间层上且布置成对应于所述第一开口,
其中,所述第一导电无机层的至少一个端部延伸超过所述第一中间层的端部,并且在所述第一开口和所述第二开口之间设置于所述像素限定层上。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一凸部包括指向所述第一开口的第一侧表面以及与所述第一侧表面相对的第二侧表面,以及所述第一凸部的顶点位于所述第一侧表面和所述第二侧表面之间。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一导电无机层的所述至少一个端部超过所述第一凸部的所述顶点在所述第二侧表面上方延伸。
4.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一中间层的端部超过所述第一凸部的所述顶点在所述第二侧表面上方延伸。
5.如权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二侧表面和所述衬底的主表面之间的角度小于90°。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电无机层的所述至少一个端部直接接触所述像素限定层。
7.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电无机层的所述至少一个端部延伸超过所述第一中间层的端部0.5μm或更多。
8.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电无机层包括包含银、镁、铝、镱、钙、锂、金或其化合物的金属层。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一导电无机层包括透明导电氧化物。
10.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一中间层还包括以下至少之一:
第一功能层,设置在所述第一像素电极和所述第一发射层之间;以及
第二功能层,设置在所述第一发射层和所述第一导电无机层之间。
11.一种显示装置,包括:
第一像素电极和第二像素电极,设置成彼此邻近;
像素限定层,包括对应于所述第一像素电极的第一开口、对应于所述第二像素电极的第二开口、与所述第一开口邻近的第一凸部以及与所述第二开口邻近的第二凸部;
第一中间层,设置在所述第一像素电极上且包括第一发射层;
第二中间层,设置在所述第二像素电极上且包括第二发射层;
第一导电无机层,设置在所述第一中间层上且配置为覆盖所述第一中间层的端部;以及
第二导电无机层,设置在所述第二中间层上且配置为覆盖所述第二中间层的端部。
12.如权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一导电无机层的至少一个端部延伸超过所述第一中间层的端部,并且直接接触所述像素限定层。
13.如权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一导电无机层的至少一个端部比所述第一中间层的端部更进一步地朝向所述第二凸部延伸。
14.如权利要求11所述的显示装置,其中:
所述第一凸部包括指向所述第一开口的第一侧表面以及与所述第一侧表面相对的第二侧表面,以及所述第一凸部的顶点布置于所述第一侧表面和所述第二侧表面之间;以及
所述第一导电无机层的至少一个端部超过所述第一凸部的所述顶点在所述第二侧表面上方延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的