[发明专利]低压降稳压器

权利要求书

1.一种低压降稳压器，其特征在于，该低压降稳压器包括：

一阻抗单元；

一差分放大器，其电性连接至该阻抗单元；

一电流镜单元，其电性连接至该差分放大器；以及

一自适应偏压单元，其电性连接至该差分放大器与该电流镜单元；

其中，该阻抗单元被电性连接至该差分放大器的一负反馈路径以使该差分放大器中该负反馈路径的一增益大于其一正反馈路径的一增益。

2.如权利要求1所述的低压降稳压器，其特征在于，该差分放大器包括：

一第一晶体管，其具有一源极、一漏极、与一栅极；

一第二晶体管，该第二晶体管的一源极被连接至该第一晶体管的该源极；

一第三晶体管，该第三晶体管的一漏极被连接至该第一晶体管的该漏极；以及

一第四晶体管，该第四晶体管的一栅极被连接至该第三晶体管的一栅极与该第四晶体管的一漏极，该第四晶体管的一源极被连接至该阻抗单元，且该第四晶体管的一漏极被连接至该第四晶体管的该栅极与该第二晶体管的一漏极；

其中，该第一晶体管的该源极与该第二晶体管的该源极被连接至一第一偏压电流。

3.如权利要求2所述的低压降稳压器，其特征在于，该电流镜单元包括：

一第五晶体管，该第五晶体管的一漏极被连接至该第二晶体管的该源极；

一第六晶体管，该第六晶体管的一栅极被连接至该第五晶体管的一栅极以及该第六晶体管的一漏极；以及

一第七晶体管，该第七晶体管的一栅极被连接至该第三晶体管的该漏极，且该第七晶体管的一漏极被连接至该第六晶体管的该漏极。

4.如权利要求3所述的低压降稳压器，其特征在于，该自适应偏压单元包括：

一第八晶体管，该第八晶体管的一栅极被连接至该第八晶体管的一漏极；以及

一第九晶体管，该第九晶体管的一栅极被连接至该第三晶体管的该栅极，且该第九晶体管的一漏极被连接至该第八晶体管的该漏极。

5.如权利要求3所述的低压降稳压器，其特征在于，该自适应偏压单元包括：

一第八晶体管，其具有一源极、一漏极、与一栅极；

一第九晶体管，该第九晶体管的一栅极被连接至该第三晶体管的该栅极，且该第九晶体管的一漏极被连接至该第八晶体管的该漏极；

一第十晶体管，该第十晶体管的一漏极被连接至该第二晶体管的该栅极，且该第十晶体管的一栅极被连接至该第八晶体管的该漏极；以及一第十一晶体管，该第十一晶体管的一栅极被连接至该第三晶体管的该漏极，且该第十一晶体管的一漏极被连接至该第十晶体管的该漏极。

6.如权利要求1所述的低压降稳压器，其特征在于，该阻抗单元是一电阻。

7.一种低压降稳压器，其特征在于，该低压降稳压器包括：

一阻抗单元；

一差分放大器，其电性连接至该阻抗单元；以及

一自适应偏压单元，其电性连接至该差分放大器；

其中，该阻抗单元被电性连接至该差分放大器的一负反馈路径以使该差分放大器中该负反馈路径的一增益大于其一正反馈路径的一增益。

8.如权利要求7所述的低压降稳压器，其特征在于，该差分放大器包括：

一第一晶体管，其具有一源极、一漏极、与一栅极；

一第二晶体管，该第二晶体管的一源极被连接至该第一晶体管的该源极；

一第三晶体管，该第三晶体管的一漏极被连接至该第一晶体管的该漏极；以及

一第四晶体管，该第四晶体管的一栅极被连接至该第三晶体管的一栅极，该第四晶体管的一漏极被连接至该第四晶体管的该栅极，且该第二晶体管的一漏极被连接至该阻抗单元；

其中，该第一晶体管的该源极与该第二晶体管的该源极被连接至一第一偏压电流。

9.如权利要求8所述的低压降稳压器，其特征在于，该自适应偏压单元包括：

一第七晶体管，该第七晶体管的一栅极被连接至该第三晶体管的该漏极，且该第七晶体管的一漏极被连接至一第二偏压电流。