[发明专利]像素电路的驱动方法

权利要求书

1.一种像素电路的驱动方法，用于驱动像素电路，其特征在于，所述像素电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、电容、发光二极管、复位电压端、初始化电压端、第一电源端、第一扫描电压端、第二扫描电压端、数据电压端、控制电压端以及第二电源端；

所述驱动薄膜晶体管的控制极与所述电容的第一端连接，所述电容的第二端与所述第一电源端连接，所述驱动薄膜晶体管的第一极与所述第三薄膜晶体管的第一极连接，所述第三薄膜晶体管的控制极与所述第一扫描电压端连接，所述第三薄膜晶体管的第二极与电容的第一端连接，所述驱动薄膜晶体管的第一极还与所述第四薄膜晶体管的第一极连接，所述第四薄膜晶体管的控制极与所述控制电压端连接，所述第四薄膜晶体管的第二极与所述第一电源端连接，所述驱动薄膜晶体管的第二极与所述第五薄膜晶体管的第一极连接，所述第五薄膜晶体管的控制极与所述控制电压端连接，所述第五薄膜晶体管的第二极与所述发光二极管的阳极连接，所述发光二极管的阴极与所述第二电源端连接；

所述第一薄膜晶体管的控制极与所述复位电压端连接，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述初始化电压端连接，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述驱动薄膜晶体管的控制极连接；

所述第二薄膜晶体管的控制极与所述第二扫描电压端连接，所述第二薄膜晶体管的第一极与所述数据电压端连接，所述第二薄膜晶体管的第二极与所述驱动薄膜晶体管的第二极连接；

所述驱动方法包括：

预处理阶段：控制所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管导通，所述第一电源端的信号分别写入所述驱动薄膜晶体管的控制极和所述驱动薄膜晶体管的第一极，所述第二电源端的信号写入所述驱动薄膜晶体管的第二极，所述驱动薄膜晶体管处于关断复位状态；

初始化阶段：控制所述第一薄膜晶体管导通，所述初始化电压端的信号写入所述驱动薄膜晶体管的控制极；

数据写入阶段：控制所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管导通，驱动薄膜晶体管导通；

发光阶段：控制所述第四薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管导通，所述发光二极管发光。

2.根据权利要求1所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述像素电路还包括第六薄膜晶体管，所述第六薄膜晶体管的控制极与所述复位电压端连接，所述第六薄膜晶体管的第一极与所述初始化电压端连接，所述第六薄膜晶体管的第二极与所述发光二极管的阳极连接，所述初始化阶段还包括：

控制所述第六薄膜晶体管导通，所述初始化电压端的信号写入所述发光二极管的阳极。

3.根据权利要求1所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述预处理阶段和所述初始化阶段之间还包括：

延长恢复阶段：控制所述第四薄膜晶体管和所述第五薄膜晶体管导通，所述驱动薄膜晶体管保持关断复位状态。

4.根据权利要求3所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述延长恢复阶段的时间占比为0.1～0.4。

5.根据权利要求4所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述延长恢复阶段的时间占比为0.2。

6.根据权利要求1所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管。

7.根据权利要求1所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述像素电路还包括第六薄膜晶体管，所述第六薄膜晶体管的控制极与所述复位电压端连接，所述第六薄膜晶体管的第一极与所述初始化电压端连接，所述第六薄膜晶体管的第二极与所述发光二极管的阳极连接。

8.根据权利要求7所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述第六薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。

9.根据权利要求1所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述第一电源端的电压值大于所述第二电源端的电压值。

10.根据权利要求1所述的像素电路的驱动方法，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管均在控制端为低电位时导通。