[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一芯片，所述芯片形成在晶圆上，所述芯片上形成有金属垫及覆盖所述金属垫和所述芯片的钝化层；

在所述钝化层中形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出所述金属垫，所述第二凹槽围绕所述第一凹槽；

在所述钝化层和暴露出的所述金属垫上形成第一金属层，所述第一金属层的厚度小于所述第一凹槽的深度；

在所述第一金属层上形成光刻胶并在所述光刻胶中形成开口，暴露出所述第一金属层，所述开口范围容纳所述第一凹槽和所述第二凹槽；

在所述开口中的第一金属层上形成第二金属层；

去除光刻胶并刻蚀未被第二金属层覆盖的所述第一金属层暴露出所述钝化层，刻蚀后的第一金属层和所述第二金属层作为凸点下金属层；以及

在所述凸点下金属层上放置焊料球并回流成为凸点。

2.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述晶圆上具有至少一所述芯片；在回流成为凸点之后，还包括：对所述晶圆切割以分离出至少一个所述芯片。

3.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽为一个环形凹槽。

4.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二凹槽的开口尺寸大于底部尺寸，具有倾斜的侧壁。

5.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一金属层包括铜、镍或组合。

6.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，采用电镀法形成所述第一金属层。

7.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二金属层的材质与所述焊料球的材质相同。

8.如权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，采用电镀法形成所述第二金属层。

9.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，包括：

一芯片，所述芯片形成在晶圆上，位于所述芯片上的金属垫及位于所述芯片和所述金属垫上的钝化层，所述钝化层具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出所述金属垫，所述第二凹槽围绕所述第一凹槽；

位于所述金属垫上和所述钝化层上的凸点下金属层；以及

位于所述凸点下金属层上的凸点，所述凸点包括连接部及固定部，所述连接部通过所述凸点下金属层与所述金属垫电连接，所述固定部位于所述第二凹槽中。

10.如权利要求9所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述第二凹槽为一个环形凹槽。

11.如权利要求9所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述第二凹槽的开口尺寸大于底部尺寸，具有倾斜的侧壁。

12.如权利要求9所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述凸点下金属层包括铜、镍或组合。