[发明专利]用于运行存储装置的方法和设备在审

专利信息
申请号: 201810300801.8 申请日: 2018-04-04
公开(公告)号: CN108694131A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: M.贝泽默;T.芒茨 申请(专利权)人: 罗伯特·博世有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G11C16/10;G11C16/26
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 姬亚东;申屠伟进
地址: 德国斯*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 目标地址 待存储数据 运行存储装置 存储区域 存储装置 预先给定 存储 方法和设备 按块 写入
【说明书】:

发明涉及一种用于运行存储装置(100)的方法,在所述存储装置中存储装置(100)的第一存储区域(110)能够按块地利用待存储数据(D)来写入,所述方法具有以下步骤:将待存储数据(D)存储(200)在第一目标地址(ZA1)处,将待存储数据(D)存储(210)在第二目标地址(ZA2)处,其中第二目标地址(ZA2)与第一目标地址(ZA1)差了可预先给定的间隔(ofs),并且其中可预先给定的间隔(ofs)大于第一存储区域(110)的大约20%。

技术领域

本发明涉及一种用于运行存储装置的方法,其中存储装置的第一存储区域能够按块地利用待存储的数据来写入。

本发明还涉及一种用于运行这样的存储装置的设备。

背景技术

从市场上已知具有EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)存储元件的存储装置,其中数据可以写入到块的单元中,而不必事先擦除整个区域,所述区域通常包括多个块。例如在EEPROM型的存储器中,存储器的每个地址可以重新写入,而不必事先擦除整个区域,所述区域包括多个块。这样的存储装置例如用在机动车内燃机的控制设备和其他技术系统中。

同样已知所谓的闪存存储器或闪存EEPROM存储器,其中在有关区域的各个块能够被写入之前,通常必须首先擦除至少一个完整区域。

发明内容

本发明的任务是如下地改进开头提及类型的方法和开头提及类型的设备,即得到提高的灵活性和提高的实用性。

该任务根据本发明在开头提及类型的方法中通过如下方式解决,即方法具有以下步骤:在第一目标地址处存储待存储的数据,在第二目标地址处存储待存储的数据,其中第二目标地址与第一目标地址差了可预先给定的间隔,并且其中可预先给定的间隔(英文:“offset:偏移”)大于第一存储区域的大约20%(即大于第一存储区域的存储容量的大约20%)。这决定了以下优点,在存储装置的个别存储单元或地址区域失效的情况下根据本发明写入的数据的总数据损失的概率小于常规存储装置中的总数据损失的概率,因为待写入的数据的第一副本存在于第一目标地址处并且待写入的数据的第二副本存在于第二目标地址处(“多重存放”的原理),因此待写入的数据在两个不同地址处冗余地存储在存储装置中。对于所写入的数据的总数据损失,在根据本发明的方法中应该需要不仅在第一目标地址处写入的数据而且在第二目标地址处写入的数据都变得无效,这在存储装置的特别是逐点的错误的情况下更不可能,因为观察到,存储装置中的错误通常集中于存储装置的一定连续的地址区域(只要不整个存储装置失效)。

在一些实施方式中可能的是,如前面已经描述的那样首先将待存储的数据的第一副本存储到第一目标地址处,并且然后将待存储的数据的第二副本存储到第二目标地址处。在其他实施方式中也可以设想相反的顺序,即首先将待存储的数据的第二副本存储到第二目标地址处,并且然后将待存储的数据的第一副本存储到第一目标地址处。

下面,依据源于英语的专业表达,根据本发明的可预先给定的间隔也称为“偏移”。

一般,在第一目标地址和第二目标地址之间的可预先给定的间隔或偏移不仅可以具有正值(即第二目标地址大于第一目标地址)而且具有负值(即第二目标地址小于第一目标地址)。下面,出于清楚的原因并且不限制一般性的情况下考虑这样的实施方式,其中偏移具有正值,因此第二目标地址大于第一目标地址。

在优选实施方式中,可预先给定的间隔或偏移大于第一存储区域的大约40%(百分比),由此进一步提高鲁棒性。

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