[发明专利]存储装置及其操作方法有效
申请号: | 201810301896.5 | 申请日: | 2018-04-04 |
公开(公告)号: | CN109426743B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 金真洙;辛崇善 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F21/79 | 分类号: | G06F21/79 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;赵赫 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 及其 操作方法 | ||
本发明可提供一种存储装置及其操作方法。用于在物理移动中保护存储装置的存储装置可包括:非易失性存储器装置;传感器单元,被配置成收集与存储装置的物理移动有关的信息;以及存储器控制器,被配置成基于从传感器单元获取的传感器值来执行装置锁定操作,装置锁定操作保护非易失性存储器装置中的数据。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年8月22日提交的申请号为10-2017-0106134的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的各个实施例总体涉及一种电子装置,且更特别地,涉及一种存储装置及该存储装置的操作方法。
背景技术
存储装置是在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下,用于存储数据的装置。存储装置的示例包括用于将数据存储在磁盘中的装置,如硬盘驱动器(HDD)的情况,以及用于将数据存储在半导体存储器中,特别是存储在非易失性存储器中的装置,如固态驱动器(SSD)或存储卡的情况。
非易失性存储器的代表性示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。
发明内容
本公开的各个实施例涉及一种存储装置及该存储装置的操作方法,其可保护存储装置免受物理移动所造成的损害。
本公开的实施例提供一种存储装置,其包括:非易失性存储器装置;传感器单元,被配置成收集与存储装置的物理移动有关的信息;以及存储器控制器,被配置成基于从传感器单元获取的传感器值来执行装置锁定操作,装置锁定操作保护非易失性存储器装置中的数据。
本公开的另一实施例提供了一种用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器控制器可包括:装置锁定检测单元,其被配置成当从外部传感器单元获取的、与存储装置的物理移动有关的传感器值超过阈值时,输出检测信号;装置锁定模式设置单元,其被配置成当装置锁定模式处于启用状态并且检测信号被输入时,锁定存储装置并输出表示存储装置处于锁定状态的启用信号,装置锁定模式表示存储器装置中保护数据的装置锁定操作是否被激活;以及装置锁定处理单元,其被配置成响应于启用信号,将中止信号输出至外部主机而不执行从外部主机提供的命令。
从下面结合附图的详细描述,本发明的这些和其它特征与优点对于本发明所属领域技术人员将变得显而易见。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的示图。
图2是示出在图1所示的存储装置中采用的装置锁定控制单元的示例性配置的框图。
图3是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的操作的流程图。
图4是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的操作的流程图。
图5是示出根据本公开的实施例的存储器控制器的操作的流程图。
图6是示出图1所示的存储装置中采用的存储器装置的示例性结构的示图。
图7是示出图6所示的存储器单元阵列的示例性实施例的示图。
图8是示出图7所示的存储块BLK1至BLKz中的任何一个存储块BLKa的示例性配置的电路图。
图9是示出图7所示的存储块BLK1至BLKz中的任何一个存储块BLKb的示例性配置的电路图。
图10是示出图6所示的存储器单元阵列的实施例的电路图。
图11是示出图1所示的存储器控制器的实施例的示图。
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