[发明专利]用于评估互连结构的特性的方法有效
| 申请号： | 201810301971.8 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN108598018B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 闫江;王晓磊 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京金咨知识产权代理有限公司 11612 | 代理人： | 宋教花 |
| 地址： | 100144 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 评估 互连 结构 特性 方法 | ||
1.一种用于评估互连结构的特性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
测量所述互连结构中的包括阻挡层和低介电常数材料层的叠层体的椭偏光学参数；
采用双层模型对所测得的椭偏光学参数结果进行拟合，以计算所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值；
将低介电常数材料的原始特征值和计算得到的所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值进行比较；
根据比较结果评估所述叠层体中的杂质的量，
在根据比较结果评估所述叠层体中的杂质的量之后，所述方法还包括以下步骤：
对所述叠层体进行退火处理；
测量退火之后的所述叠层体的椭偏光学参数；
采用双层模型对所测得的退火之后的叠层体的椭偏光学参数结果进行拟合，以计算退火之后的所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值；
将退火之前和之后的所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值进行比较；
根据比较结果评估所述叠层体中的杂质的成分。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据比较结果评估所述叠层体中的杂质的成分的步骤包括：
如果退火之后的所述叠层体中的低介电常数材料的特征值等于或低于退火之前的所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值，则所述叠层体中的杂质的成分为吸附水；
如果退火之后的所述叠层体中的低介电常数材料的特征值高于退火之前的所述叠层体中的低介电常数材料层的特征值，则所述叠层体中的杂质的成分为金属。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述特征值是折射率。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理中的退火温度为250至400℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理中的退火温度为400℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理中的退火时间为30秒至1个小时。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理中的退火时间为1个小时。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，椭偏光学参数的测量是利用椭圆偏振光谱仪来进行的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
