[发明专利]一种高频耐电压薄膜电容有效
| 申请号： | 201810303440.2 | 申请日： | 2018-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN108470622B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 易蒋孙 | 申请（专利权）人： | 汕头市信音电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/10;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/24;C23C14/58 |
| 代理公司： | 44547 汕头兴邦华腾专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 张树峰;聂文文 |
| 地址： | 515000 广东省汕头市龙湖区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜电容 耐电压 介质薄膜 介电性能 沉积 薄膜 退火 射频磁控溅射 薄膜微结构 耐电压特性 低温退火 电介质层 高温烧结 可重复性 频率特性 制备过程 下电极 制备 优化 掺杂 调控 | ||
1.一种高频耐电压薄膜电容，其特征在于，由Cu上、下电极和TiTe3O8-MnO2电介质层构成MIM结构，利用如下工艺步骤制成：
a. 将TiO2与TeO2粉末在550℃的温度下混合加热，经反应后得到TiTe3O8粉末；
b. 按照1:0.1-0.4的质量比，将TiTe3O8粉末与MnO2粉末混合，进行24 h球磨，制备混合粉末；
c. 在混合粉末中加入质量分数为5%的PVA颗粒，并将混合物在18 MPa压力下压制成型，放入加热炉中，在500-700℃温度下进行烧结；
d. 冷却后，置于真空干燥箱烘干，制备TiTe3O8-MnO2靶材；
e. 釆用真空蒸发方法，在SiO2基底上沉积Ni过渡层，然后再在Ni过渡层上沉积Cu下电极；
f. 通过射频溅射，在沉积了Cu/Ni的SiO2基上，沉积TiTe3O8-MnO2靶材，制备电介质薄膜层；
g. 经过400℃退火处理，促进薄膜生长；
h. 利用真空蒸发沉积Cu层，作为上电极，得到 MIM 结构的薄膜电容。
2.根据权利要求1所述的高频耐电压薄膜电容，其特征在于：工艺步骤d中，冷却方式采用自然降温冷却、经2 h保温后自然降温冷却或经2 h保温后再进行10 h的控制降温冷却。
3.根据权利要求1所述的高频耐电压薄膜电容，其特征在于：工艺步骤e中，沉积的Ni过渡层厚度为10-20 nm。
4.根据权利要求1所述的高频耐电压薄膜电容，其特征在于：工艺步骤f中，射频溅射功率为200-300W。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汕头市信音电子科技有限公司，未经汕头市信音电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810303440.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
