[发明专利]半导体器件及其形成方法

说明书

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在待刻蚀层上形成第一掩膜材料层，第一掩膜材料层包括阻隔区；在第一掩膜材料层中形成分立的第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽的延伸方向均平行于第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽之间的排列方向，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽分别位于所述阻隔区的两侧；在阻隔区暴露出侧壁形成阻挡层；以阻挡层为掩膜刻蚀第一掩膜材料层的部分阻隔区，在第一掩膜材料层阻隔区中形成第一掩膜通孔；之后以阻挡层和第一掩膜材料层为掩膜刻蚀待刻蚀层，在第一掩膜沟槽、第二掩膜沟槽和第一掩膜通孔底部的待刻蚀层中对应形成第一沟槽，第二沟槽和通孔。所述方法使半导体器件的性能提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路工艺中常常需要形成互联结构。互联结构用于对上下材料层进行电学连接。互联结构包括导电层和导电插塞，导电层位于沟槽中，导电插塞位于通孔中。

通常根据设计的需要对设计通孔和沟槽的位置。部分通孔需要位于相邻的沟槽之间，且通孔和沟槽相互分立。

然而，现有的互联结构的性能较差。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体器件及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层，第一掩膜材料层包括阻隔区；在第一掩膜材料层中形成分立的第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽的延伸方向均平行于第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽之间的排列方向，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽分别位于所述阻隔区的两侧，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽分别暴露出阻隔区的沿第一掩膜沟槽延伸方向上的两侧侧壁；在所述阻隔区暴露出的侧壁形成阻挡层；以所述阻挡层为掩膜刻蚀第一掩膜材料层的部分阻隔区，在第一掩膜材料层的阻隔区中形成第一掩膜通孔；形成所述第一掩膜通孔后，以所述阻挡层和第一掩膜材料层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，在第一掩膜沟槽底部的待刻蚀层中形成第一沟槽，在第二掩膜沟槽底部的待刻蚀层中形成第二沟槽，在所述第一掩膜通孔底部的待刻蚀层中形成通孔。

可选的，所述阻挡层的材料为氮化硅或氮氧化硅。

可选的，所述阻挡层的厚度为5埃～20埃。

可选的，还包括：在形成所述第一掩膜沟槽和所述第二掩膜沟槽之前，在第一掩膜材料层的阻隔区上形成分割掩膜层；以所述分割掩膜层为掩膜刻蚀阻隔区两侧的部分第一掩膜材料层，在第一掩膜材料层中形成所述第一掩膜沟槽和所述第二掩膜沟槽；在形成所述第一掩膜通孔之前，去除所述分割掩膜层。

可选的，还包括：在以所述分割掩膜层为掩膜刻蚀阻隔区两侧的部分第一掩膜材料层之前，在所述第一掩膜材料层和分割掩膜层上形成第一平坦层；在第一平坦层上形成第一底部抗反射层；在第一底部抗反射层上形成第一光刻胶层，第一光刻胶层中具有第一开口，第一开口位于所述分割掩膜层上、以及分割掩膜层两侧的部分第一掩膜材料层上；以所述第一光刻胶层为掩膜，刻蚀第一开口底部的第一底部抗反射层和第一平坦层直至暴露出第一掩膜材料层表面和分割掩膜层的顶部表面，在第一开口底部的第一平坦层中形成第一中间开口，第一中间开口分别位于分割掩膜层的两侧；以所述第一平坦层和所述分割掩膜层为掩膜刻蚀第一中间开口底部的第一掩膜材料层，形成所述第一掩膜沟槽和所述第二掩膜沟槽，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽分别位于分割掩膜层的两侧；在去除所述分割掩膜层之前，去除所述第一平坦层、第一底部抗反射层和第一光刻胶层。

可选的，所述分割掩膜层的材料为TiN、AlN、CuN或BN。

可选的，在形成所述阻挡层之前，去除所述分割掩膜层。