[发明专利]一种高稳定性的恒流源产生电路

说明书

本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种高稳定性的恒流源产生电路。本发明提供的一种高稳定性的恒流源产生电路，包括启动电路和恒流源核心电路。该恒流源产生电路在传统恒流源电路的基础上进行了改进，有效地解决了现有技术中恒流源产生电路稳定性差、功耗较高的问题，具有较高的输出稳定性和较低的功耗。

技术领域

本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种高稳定性的恒流源产生电路。

背景技术

恒流源产生电路是模拟或数模混合集成电路中的重要模块，它的作用是为系统提供一个与电源电压无关的恒定的输出电流，高精度、低功耗的恒流源对于整个电路稳定性至关重要。近年来，关于恒流源电路的研究发展迅速，特别是基于带隙基准电压电路产生恒流源的研究已经较为成熟，对温度补偿、工艺偏差调整等都有很深入的研究。然而，在标准CMOS工艺中，由于BJT晶体管实际性能的限制，传统的通过带隙基准电压产生的基准电流往往难以达到预期的效果，并且具有功耗高、成本高的缺点，基于此，本发明提供了一种高稳定性的恒流源产生电路。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有恒流源产生电路稳定性差、功耗较高的问题，提供了一种高稳定性的恒流源产生电路。

本发明提供了一种高稳定性的恒流源产生电路，包括启动电路和恒流源核心电路；所述启动电路包括MOS管M9、M10、M11、M12和电阻R5、R6，所述恒流源核心电路包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8以及电阻R1、R2、R3、R4和电容C1，MOS管M9、M10、M11的源极均连接电源电压VDD，M9的栅极与漏极相连并连接电阻R5、R6的一端，MOS管M12的漏极连接电阻R5的另一端，栅极连接电源电压VDD且源极接地；MOS管M11的栅极连接电阻R6的另一端以及M10的漏极；MOS管M3、M4的源极均连接电源电压VDD，栅极相连并连接M10的栅极和M3的漏极；MOS管M5、M6的源极均连接电源电压VDD，栅极相连并连接M6的漏极、M7的漏极以及M8的栅极；MOS管M1的漏极连接M3的漏极，源极通过电阻R1接地，栅极连接M2的栅极、M5的漏极、电容C1的一端和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接地，电容C1的另一端连接电阻R4一端，电阻R4的另一端连接M4的漏极、M11的漏极、M2的漏极以及M7的栅极，M2的源极接地，M7的源极通过电阻R3接地；MOS管M8源极连接电源电压VDD，漏极即为恒流源IREF的输出端。所述MOS管M3、M4、M5、M6、M8、M9、M10、M11为PMOS管，所述MOS管M1、M2、M7、M12为NMOS管。

本发明所提供的一种高稳定性的恒流源产生电路，有效地解决了现有技术中恒流源产生电路稳定性差、功耗较高的问题，在传统的恒流源电路的基础上进行了改进，具有较高的输出稳定性和较低的功耗。

附图说明

图1为本发明提供的一种高稳定性的恒流源产生电路示意图。

图2为本发明提供的恒流源产生电路的输出电流随温度变化曲线。

具体实施方式

本发明提供了一种高稳定性的恒流源产生电路，为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。