[发明专利]集成电路及其制造方法以及集成电路的导电层

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

在第一导电层中的第一导电图案，所述第一导电图案包括：

第一区段，包括至少一个第一点，第一电流通过所述至少一个第一点从所述第一导电图案外部供给，

第二区段，包括至少一个第二点，第二电流通过所述至少一个第二点被引出到所述第一导电图案外部，以及

第三区段，将所述第一区段连接到所述第二区段；

第二导电图案，在所述第一导电层之上的第二导电层中；以及

通路，与所述第一导电图案和所述第二导电图案电连接以允许所述第一电流通过所述通路被供给到所述第二导电图案并允许所述第二电流通过所述通路从所述第二导电图案引来，所述通路在所述第一导电图案的所述第三区段上。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一电流和所述第二电流在不同的时间流过所述通路。

3.根据权利要求2所述的集成电路，还包括包含所述第一导电图案的标准单元，

其中所述第一导电图案对应于所述标准单元的输出引脚。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中：

所述第一导电图案的所述第一区段和所述第一导电图案的所述第二区段在第一水平方向上延伸以彼此平行；并且

所述第一导电图案的所述第三区段在垂直于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述第一导电图案的所述第一区段具有其在所述第二水平方向上的长度随着在所述第一水平方向上远离所述第三区段而减小的阶梯形状。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其中：

所述第一导电图案的所述第一区段在所述第二水平方向上的长度基于从所述至少一个第一点供给的电流的大小和所述第一导电层中允许的每单位宽度电流来确定；并且

所述第一导电层中的所述每单位宽度电流基于所述第一导电层中发生的电致迁移来确定。

7.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述第一导电图案的所述第二区段具有其在所述第二水平方向上的长度随着在所述第一水平方向上远离所述第三区段而减小的阶梯形状。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中：

所述第一导电图案的所述第二区段在所述第二水平方向上的长度基于被引出到所述至少一个第二点的电流的大小和所述第一导电层中允许的每单位宽度电流来确定；并且

所述第一导电层中允许的所述每单位宽度电流基于所述第一导电层中发生的电致迁移来确定。

9.根据权利要求8所述的集成电路，还包括在所述第一导电层中的第三导电图案，所述第三导电图案对应于标准单元的输入引脚，

其中所述第一导电图案的所述第一区段和所述第一导电图案的所述第二区段当中的至少一个区段具有其在所述第二水平方向上的长度在所述第一水平方向上远离所述第一导电图案的所述第三区段而减小的阶梯形状，并且

其中所述第三导电图案在所述第二水平方向上与所述第一导电图案的所述第一区段和所述第一导电图案的所述第二区段中的任一个分隔开。

10.根据权利要求9所述的集成电路，其中所述第三导电图案包括在所述第二水平方向上延伸并在所述第二水平方向上与一区域分隔开的至少一个区段，所述区域在所述第一导电图案的所述第一区段和所述第一导电图案的所述第二区段当中的所述至少一个区段中具有在所述第二水平方向上的最短的长度。

11.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述第一导电图案的所述第三区段在所述第一水平方向上的长度等于或大于所述第一导电图案的所述第一区段和所述第一导电图案的所述第二区段中的每个在所述第二水平方向上的长度。

12.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述通路、所述第一导电层和所述第二导电层使用用于所述集成电路的后端工艺线(BEOL)工艺形成。