[发明专利]承载环在审
申请号: | 201810305471.1 | 申请日: | 2015-12-14 |
公开(公告)号: | CN108538778A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 伊莱·乔恩;尼克·拉伊·小林百格;西丽斯·雷迪;爱丽丝·霍利斯特;隆格蒂瓦·梅塔帕浓 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载环 晶片边缘 支撑结构 上表面 外边缘 晶片 环形盘形状 下边缘表面 拐角 沉积膜 渐变 延伸 顶侧 抬升 配置 移动 | ||
1.一种用在被实施用于沉积膜的室中的承载环,其包括,
具有环形盘形状的、有外边缘侧和晶片边缘侧的所述承载环,所述承载环具有在所述外边缘侧和所述晶片边缘侧之间延伸的顶侧,所述晶片边缘侧包括,
低于承载环上表面的较低的承载环表面;
多个接触支撑结构,每个接触支撑结构位于所述较低的承载环表面的边缘且具有在所述较低的承载环表面上方延伸并且低于所述承载环上表面的高度,每个接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角;
在所述承载环上表面和所述较低的承载环表面之间的台阶;
其中所述接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触以抬升和降低以及移动所述晶片。
2.如权利要求1所述的承载环,其中所述晶片边缘侧还包括,
在所述较低的承载环表面和所述接触支撑结构的每一个之间的每一个过渡处的内接触边缘。
3.如权利要求1所述的承载环,其中所述接触支撑结构的所述渐变的边缘和拐角具有没有锐利拐角的大体上为曲面的表面。
4.如权利要求1所述的承载环,其中用于沉积膜的所述室包括,
基架,其具有晶片支撑区域和围绕所述晶片支撑区域的承载件支撑表面,所述承载件支撑表面是从所述晶片支撑区域下来的台阶;
叉,其具有围绕所述基架的第一侧部分布置的第一臂和围绕所述基架的第二侧部分布置的第二臂,
其中所述第一和第二臂中的每一个在处于不接触所述承载环的下表面的非啮合状态时位于所述承载件支撑表面下方,而在处于啮合状态时,所述第一和第二臂中的每一个接触所述承载环的所述下表面以抬升所述晶片。
5.如权利要求4所述的承载环,其中所述晶片在被置于所述晶片支撑区域上时被配置为悬于所述承载件支撑表面的一部分之上,且每个接触支撑结构被配置为位于所述晶片的悬空部分下面。
6.一种用在被实施用于沉积膜的室中的承载环,所述承载环具有环形盘形状的、有外边缘侧和晶片边缘侧,所述承载环具有在所述外边缘侧和所述晶片边缘侧之间延伸的顶侧,所述晶片边缘侧包括,
设置为接近所述承载环的所述晶片边缘侧的较低的承载环表面,所述较低的承载环表面低于设置为接近所述承载环的所述外边缘侧的承载环上表面;和
多个接触支撑结构,所述多个接触支撑结构由所述承载环形成并沿所述承载环的所述晶片边缘侧的边缘设置,所述多个接触支撑结构中的每一个具有在所述较低的承载环表面上方延伸并且位于所述承载环上表面下方的高度,并且每个接触支撑结构具有渐变的边缘和拐角。
7.如权利要求6所述的承载环,还包括,
在所述承载环上表面和所述较低的承载环表面之间的台阶。
8.如权利要求7所述的承载环,其中所述接触支撑结构中的每一个的顶部被配置用于与晶片的下边缘表面接触,所述接触支撑结构用于升高、降低和移动所述晶片。
9.如权利要求6所述的承载环,其中所述晶片边缘侧还包括,
在所述较低的承载环表面和所述接触支撑结构的每一个之间的每一个过渡处的内接触边缘。
10.如权利要求6所述的承载环,其中所述接触支撑结构的所述渐变的边缘和拐角具有没有锐利拐角的大体上为曲面的表面。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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