[发明专利]一种功率半导体器件终端结构及其制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件终端结构，包括用于引出集电极的集电极金属（11）及位于所述集电极金属（11）上方的第一导电类型漂移区（1），在所述第一导电类型漂移区（1）表面设置有主结结构、位于主结结构外围的耐压结构及位于耐压结构外围的截止环结构，其特征在于，在耐压结构中，在第一导电类型漂移区（1）表面设置若干个沟槽（3-3）及若干个位于沟槽（3-3）外围的第二导电类型场限环（3-2），从主结结构指向截止环结构的方向上，所述沟槽（3-3）与第二导电类型场限环（3-2）间的间距逐渐增大，在所述沟槽（3-3）内设有位于中心区的导电多晶硅（5）及包裹所述导电多晶硅（5）的栅氧化层（4）。

2.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件终端结构，其特征在于，在耐压结构中，在所述第一导电类型漂移区（1）上设有场氧化层（2）、耐压环多晶硅场板（5-2）、绝缘介质层（6）及金属场板（8-2），所述金属场板（8-2）通过通孔穿过绝缘介质层（6）与导电多晶硅（5）电性连接，也可设置为浮空状态，所述金属场板（8-2）通过通孔穿过绝缘介质层（6）与第二导电类型场限环（3-2）连接，也可设置为浮空状态，所述金属场板（8-2）通过通孔穿过绝缘介质层（6）与耐压环多晶硅场板（5-2）电性连接，也可设置为浮空状态，所述耐压环多晶硅场板（5-2）与第二导电类型场限环（3-2）连接，且通过场氧化层（2）与第一导电类型漂移区（1）隔离。

3.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件终端结构，其特征在于，所述第二导电类型场限环（3-2）深度大于沟槽（3-3）的深度。

4.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件终端结构，其特征在于，所述沟槽（3-3）与距离最近的第二导电类型场限环（3-2）的间距为1μm~30μm，所述间距根据器件耐压需求进行调整。

5.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件终端结构，其特征在于，所述沟槽（3-3）与第二导电类型场限环（3-2）之间还可设置第二导电类型第一阱区（7-1）。

6.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件终端结构，其特征在于，在主结结构中，在第一导电类型漂移区（1）表面设有主结场限环（3-1），在第一导电类型漂移区（1）上设有场氧化层（2）、主结多晶硅场板（5-1）、绝缘介质层（6）及发射极金属（8-1），所述发射极金属（8-1）通过通孔穿过绝缘介质层（6）与主结场限环（3-1）连接，所述发射极金属（8-1）通过通孔穿过绝缘介质层（6）与主结多晶硅场板（5-1）电性连接，也可设置为浮空状态，所述主结多晶硅场板（5-1）与主结场限环（3-1）连接，且与第一导电类型漂移区（1）通过场氧化层（2）隔离。

7.根据权利要求1所述的一种功率半导体器件终端结构，其特征在于，在截止环结构中，在第一导电类型漂移区（1）表面设有第二导电类型第二阱区（7-2），在第一导电类型漂移区（1）上设有场氧化层（2）、截止环多晶硅场板（5-3）、绝缘介质层（6）及截止环金属（8-3），所述截止环金属（8-3）通过通孔穿过绝缘介质层（6）与第二导电类型第二阱区（7-2）连接，所述截止环金属（8-3）通过通孔穿过绝缘介质层（6）与截止环多晶硅场板（5-3）电性连接，也可设置为浮空状态，所述截止环多晶硅场板（5-3）与第二导电类型第二阱区（7-2）连接，且与第一导电类型漂移区（1）通过场氧化层（2）隔离。