[发明专利]半导体8寸晶元制造Endura IMP工艺的不锈钢零部件再生方法

说明书

本发明公开了半导体8寸晶元制造Endura IMP工艺的不锈钢零部件再生方法，包括以下步骤：（1）、常压下，纯水或超纯水通入高压水泵，高压水泵连接喷嘴，水通过喷嘴往不锈钢零部件表面各处喷射；（2）、不锈钢零部件在常压下自然干燥后，放置并固定于于转盘上，旋转转盘带动不锈钢零部件旋转；（3）、使用液氮喷射装置，其具有喷射口、阀门，喷射口对准不锈钢零部件一侧，待转动稳定后，开始喷射液氮，调节阀门，使喷射液氮的流量在0.08‑0.3m³/s；（4）、喷射后随转盘停止并自然回温至室温。本发明的步骤简单，结合不锈钢材料特点量身定制，并且水冲压力和液氮骤冷在不锈钢承受范围内，不锈钢零部件再生效果优异、高效。

技术领域

本发明属于光电清洗技术领域，尤其是半导体8寸晶元制造Endura IMP工艺的不锈钢零部件再生方法。

背景技术

半导体技术领域使用的零部件，往往对清洁度的要求较高，微小的杂质都会影响半导体的性能。作为可以耐久使用的非消耗核心零部件，不可能在其还能使用的时候就更换，成本太高，而是用清洗、清洁技术来实现半导体零部件的再生，再生的零部件可以重复投入使用，性能上基本没有影响。

传统的清洗是有机化学溶剂或试剂，对有机残留进行溶解后处理；或者采用辅助的的高压水喷砂清洗等。但前者会对环境造成污染，后者会损坏零部件本身表面涂层。因此，开发一种无污染、且清洗效果好的光电零部件再生方法势在必行。

HJTC Endura IMP工艺是和舰科技开发的一种半导体薄膜制程工艺，其适用的零部件有不锈钢材质的底座、卡箍、罩体等。

不锈钢广泛用于光电核心零部件的承载、套接和保护结构件。

针对不锈钢材质零部件，本发明基于热胀冷缩原理，使零部件表面的杂质脱落后去除，全程采用清洁的介质，无污染和化学残留，再生效果极佳。

发明内容

发明目的：为了使不锈钢材料的光电零部件实现清洁后再生使用，本发明开发了一种半导体8寸晶元制造Endura IMP工艺的不锈钢零部件再生方法，利用热胀冷缩使零部件表面的杂质脱落，以解决现有技术中存在的问题。

发明内容：半导体8寸晶元制造Endura IMP工艺的不锈钢零部件再生方法，包括以下步骤：

（1）、常压下，纯水或超纯水通入高压水泵，高压水泵连接喷嘴，水通过喷嘴往不锈钢零部件表面各处喷射，形成的喷射水流与不锈钢零部件表面形成斜角，水压范围185~215bar；

（2）、不锈钢零部件在常压下自然干燥后，放置并固定于于转盘上，旋转转盘带动不锈钢零部件旋转；

（3）、使用液氮喷射装置，其具有喷射口、阀门，喷射口对准不锈钢零部件一侧，待转动稳定后，开始喷射液氮，调节阀门，使喷射液氮的流量在0.08-0.3m³/s；

（4）、喷射后维持转盘旋转5-10min停止，再自然回温至室温，待用。

作为优选，步骤（1）中，喷射水流的处理时间为12-26min。喷射水流的处理时间使经济性和处理效果达到最佳匹配。

作为优选，步骤（3）中，液氮喷射的处理时间为10-20min。液氮喷射的处理时间使经济性和处理效果达到最佳匹配。

作为优选，所述喷射口末端呈狭缝状，狭缝宽度为0.5-4mm。狭缝状喷射口又是本发明的一大设计，液氮从狭缝出形成较窄的一层液膜/气膜，故而使喷射后在零部件表面冷却面较广，与转盘旋转设计共同避免局部过冷而损害材料，另一方面可以产生一定切削力，利于剥离表面杂质。

进一步，所述液氮喷射装置喷射液氮的速度为80-150m/s。液氮喷射速度的限定使喷射产生的压力、流量达到合理范围，使效果达到优化。