[发明专利]锗酸钛铷锂化合物、锗酸钛铷锂非线性光学晶体及其制备方法和应用有效
申请号: | 201810306653.0 | 申请日: | 2018-04-08 |
公开(公告)号: | CN108505110B | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 李如康;夏明军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | C30B9/12 | 分类号: | C30B9/12;C30B29/32;G02F1/355;C01G17/00 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人: | 赵晓丹 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 酸钛 非线性光学晶体 锂化合物 制备方法和应用 机械性能 非线性光学效应 非中心对称结构 复合功能器件 非线性光学 倍频效应 电光晶体 电光系数 四方晶系 激光器 空间群 助溶剂 潮解 激光 应用 | ||
1.一种锗酸钛铷锂非线性光学晶体,其特征在于,所述锗酸钛铷锂非线性光学晶体的化学式为Rb4Li2TiGe4O13;所述锗酸钛铷锂非线性光学晶体为非中心对称结构,属于四方晶系,空间群为
2.一种如权利要求1所述的锗酸钛铷锂非线性光学晶体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:将含Rb化合物、含Li化合物、含Ti化合物、含Ge化合物和助熔剂研磨混匀得到原料;将原料融化,升温至700~900℃,恒温搅拌;采用助熔剂法生长晶体。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述助熔剂法生长晶体的条件为:在熔体饱和点温度之上5~10℃引入籽晶,以0.2~5℃/天的速度降温,以15r/min的速度旋转晶体,开始晶体生长,待晶体生长结束后,将晶体提离液面,再以不大于100℃/h的降温速率退火至室温。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述助熔剂包括摩尔比为0.5~1:0~1.5:0~2的LiF、RbF和LiF-RbF。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述含Rb化合物为Rb的氧化物、Rb的碳酸盐、Rb的卤化物、Rb的硝酸盐或Rb的草酸盐。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述含Li化合物为Li的氧化物、Li的碳酸盐、Li的卤化物、Li的硝酸盐或Li的草酸盐。
7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述含Ti化合物为Ti的氧化物、Ti的卤化物、Ti的硝酸盐或Ti的草酸盐。
8.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述含Ge化合物为Ge的氧化物、Ge的卤化物、Ge的硝酸盐或Ge的草酸盐。
9.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述含Rb化合物、含Li化合物、含Ti化合物和含Ge化合物中的Rb、Li、Ti和Ge元素的摩尔比为4:2:1:4。
10.一种如权利要求1所述的锗酸钛铷锂非线性光学晶体在激光非线性光学复合功能器件、电光晶体器件或激光器中的应用。
11.一种非线性光学器件,包括如权利要求1所述的锗酸钛铷锂非线性光学晶体。
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