[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201810306935.0 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108321274A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李庆;刘佳擎;张振 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/40;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏省宿迁市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明导电层 钝化层 开槽 衬底 外延结构 漫反射 出射 制造 发光 | ||
1.一种LED芯片，包括衬底及位于所述衬底上的LED外延结构，其特征在于，所述LED芯片还包括位于所述外延结构上方的透明导电层及钝化层，所述透明导电层及所述钝化层的至少其中之一上具有若干开槽。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层上具有第一开槽，所述钝化层上具有第二开槽。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一开槽与所述第二开槽相互错开设置。
4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一开槽和/或所述第二开槽为周期性半球状开槽。
5.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一开槽的深度小于所述透明导电层的厚度。
6.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括位于所述LED外延结构中P电极区域上方的P电极和N电极区域上方的N电极，所述透明导电层至少覆盖除所述P电极以外的所述P电极区域，所述钝化层覆盖除所述P电极、所述N电极以外的所述P电极区域、所述N电极区域。
7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括至少位于所述透明导电层及所述P电极区域之间的电流阻挡层。
8.一种LED芯片的制造方法，其特征在于包括步骤：
提供一衬底；
于所述衬底上形成LED外延结构；
于所述LED外延结构上依次生长透明导电层及钝化层，所述透明导电层及所述钝化层的至少其中之一上具有若干开槽。
9.根据权利要求8所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，步骤“于所述LED外延结构上依次生长透明导电层及钝化层”具体包括：
于所述LED外延结构上生长透明导电层；
于所述透明导电层上形成第一开槽；
于所述透明导电层上形成钝化层；
于所述钝化层上形成第二开槽。
10.根据权利要求9所述的LED芯片的制造方法，其特征在于，所述第一开槽与所述第二开槽相互错开设置。
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