[发明专利]一种CVD金刚石厚膜的晶种种植方法

权利要求书

1.一种CVD金刚石厚膜的晶种种植方法，其特征是：所述晶种种植方法具体包括如下步骤：

第一步、首先对钼衬底的表面进行预处理，处理时钼衬底上表面要在抛光机上加入金刚石微粉研磨，将钼衬底表层的碳化钼去除，使表面光滑颜色光亮无划痕，要求不存在钼和碳化钼分层；

第二步、接上步，对钼衬底进行细磨：细磨用硬质合金片加入不同粒度的金刚石微粉进行研磨，具体操作方法为：

A、首先取1克拉W30-70金刚石微粉均匀撒在钼衬底表面，用橡皮滴管滴入1～5滴水，将硬质合金片压在钼衬底上面轻轻研磨5～20min，然后用水将表面清洗干净，观察表面状况，若存在划痕则要查看硬质合金是否有伤痕，如有则要更换新的硬质合金；

B、重复进行上面操作两次，分别用W40-60、W30-40研磨两次，两次研磨后达到表面晶种均匀，无划痕；

C、取1克拉W10－20金刚石微粉均匀撒在钼衬底表面，用橡皮滴管滴入1～5滴水，用硬质合金片进行研磨，直到钼衬底表面光滑,晶种均匀无划痕；

D、用绒布包裹硬质合金片加入w10-20金刚石微粉进行研磨，直到钼衬底表面光亮,晶种均匀无划痕；

E、用绒布包裹硬质合金片加入w5-10金刚石微粉进行研磨，直到钼衬底表面光亮,晶种均匀无划痕；

F、对钼衬底表面清洗，首先将研磨好的钼衬底用洗涤液将表面圬垢清洗干净，然后取适量去离子水倒入清洗盒，将盒放入清洗槽，再将钼衬底上表面浸入清洗盒，此时要求钼衬底表面不能碰到盒底，用超声波清洗,然后用酒精冲洗钼衬底表面并用电吹风吹干；

G、将清洗好的钼衬底交给质检员进行表面检验，合格后再用电吹风吹1～10min，然后用保鲜膜封好保存。

2.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜的晶种种植方法，其特征是：所述第一步中金刚石微粉为W50-70金刚石微粉。

3.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜的晶种种植方法，其特征是：所述第二步中硬质合金片为Φ35×2的硬质合金片。

4.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜的晶种种植方法，其特征是：所述第二步中去离子水的用量为100ml～300ml。

5.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜的晶种种植方法，其特征是：所述第二步中超声波清洗的时间为3～10min。

6.根据权利要求1所述的CVD金刚石厚膜的晶种种植方法，其特征是：所述第二步B步骤中两次研磨的时间合计为20～50min。