[发明专利]一种含Ce烧结磁体及制备方法

说明书

本发明公开一种含Ce烧结磁体及制备方法。含Ce烧结磁体通过双合金制造，其化学式按质量百分比为：[Re_100‑xCe_x]_aFe_{100‑a‑b‑c}B_bTM_cGa_d；其中，3.5≤X≤30，28≤a≤33，0.8≤b≤0.91，0.5≤c≤3.5，0.3≤d/b≤0.8；Re为不包括Ce的稀土元素，TM为Co、Al、Cu、Zr、Ti、Nb的一种或几种。本发明的含Ce烧结磁体通过Ce的加入，可降低磁体的制造成本，通过各个元素的配合及制备工艺，可改善磁体的微观组织，提高磁体的矫顽力，从而获得较好的综合性能。

技术领域

本发明属于磁体材料领域，尤其涉及一种具有高矫顽力的含Ce烧结磁体及其制备方法。

背景技术

烧结钕铁硼永磁材料具有高剩磁、高磁能积等特点，广泛地应用于电子、信息、能源、交通等领域，是目前市场前景最好的永磁材料。近年来，随着新能源汽车以及高效节能电器的迅猛发展，对稀土永磁材料的需求与日俱增。

稀土镨和钕是烧结钕铁硼使用的主要元素，长期使用不仅增加材料的成本，而且造成稀土资源利用的不平衡。金属Ce的价格不到金属Pr与Nd的三分之一，因此，发展含Ce烧结钕铁硼磁体的制备大大降低生产成本。

中国专利CN102800454中提出采用双合金法制备含Ce磁体，但其Ce含量较高，过多的Ce会较多地进入主相内，生成更多的低熔点Ce₂Fe₁₄B主相，而Ce₂Fe₁₄B的磁矩Js和各向异性场HA远低于Nd₂Fe₁₄B，其容易在烧结过程中长大，制备的磁体矫顽力低，不能满足需要一定高温条件下使用的实际要求。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提出一种含Ce烧结磁体及制备方法，通过双合金方法，A合金中含有Ce，B合金不含有Ce，控制B合金中Ga和B元素成分的比例，提高Ga的含量，在磁体内晶界处形成(Re-Ce)₁Fe₆Ga相，减少Ce元素进入主相，更多地在晶界处存在，使晶界相更好地浸润主相，从而提高磁体的剩磁和矫顽力，改善磁体的微观组织，从而获得更好的磁体性能。

本发明的目的之一是提供一种含Ce烧结磁体，其化学式按质量百分比为：[Re_100-xCe_x]aFe_100-a-b-cB_bTM_cGa_d；其中，3.5≤X≤30，28≤a≤33，0.8≤b≤0.91，0.5≤c≤3.5，0.3≤d/b≤0.8；

Re为不包括Ce的稀土元素，TM为Co、Al、Cu、Zr、Ti、Nb的一种或几种。

本发明的含Ce烧结磁体通过A合金和B合金混合制备；

所述A合金的化学式按质量百分比为：

[Re^A_100-x1Ce_x1]_a1Fe_100-a1-b1-c1B_b1TM^A_c1，其中，10≤x1≤90，28≤a1≤33，0.8≤b1≤1.0，0.5≤c1≤3.5，Re^A为不包括Ce的稀土元素，TM^A为Co、Al、Cu、Zr、Ti、Nb的一种或几种；

所述B合金的化学式按质量百分比为：