[发明专利]TEM蓝宝石衬底LED试样晶格方向的确认方法

说明书

本发明提供了一种TEM蓝宝石衬底LED试样晶格方向的确认方法，其特征在于，包括步骤：将LED试样放置于DB‑FIB机台上，获取所述LED试样中蓝宝石衬底的俯视图，所述俯视图中密布有图形化蓝宝石结构；以相邻三个图形化蓝宝石结构的连线作为六边形的一条边，于所述俯视图上连线形成一六边形；将所述六边形中相间位的两个角进行连线，令得到的连线方向作为所述LED试样的待切片的晶格方向。本发明仅在DB‑FIB下就可以直接于影像拍摄模式下，观察LED基板的俯视图就可以直接判断晶格方向，不需透过后续TEM反复切片确认，在整个制样的过程中大幅提升其效率也减低切错晶格方向的基板。

技术领域

本发明涉及制作TEM LED试样的技术领域，尤其涉及一种TEM蓝宝石衬底LED试样晶格方向的确认方法。

背景技术

多数LED被称为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，是由Ⅴ族元素(氮N、磷P、砷As等)与Ⅲ族元素(铝Al、镓Ga、铟In等)结合而成，以与IC半导体所使用的硅(Si)等Ⅳ族元素区别。不同制程方式所采用的基板也不尽相同，举例来说：1.磊晶法制程一般以磷化镓(GaP)或砷化镓(GaAs)为基板；2.而以GaN为材料所生产的LED，一般以蓝宝石(Sapphire)为基板。以上无论是哪种基板，在TEM(Transmission electron microscope，透射电子显微镜)分析方面都必须以基板的晶格方向[1120]进行分析，才能够得到最好的影像质量。

现行方式为：

将LED样品先以一个方向水平切一片LED试片，作为TEM样品，在TEM上确认是否为晶格方向[1120]，如果是，才会进行后续的吸样(Probing，用吸针吸取LED样品)等流程，如果否，则须再切一片另外一个方向的LED试片再做确认，确认晶格方向正确才会进行后续的样品制备与TEM上机。

因为LED芯片在TEM机台上拍摄时，所能撷取的最好影像的晶格方式是，所以必须先确认LED试片被切在该正确的晶格方向，才会进行吸样(Probing)试片，而一般进行Probing LED试片需要花费的时间约三小时，直接切LED试片再于TEM机台上做确认需要约1.5小时。因此，现行方式在确认LED试片的晶格方向的过程中相当耗时，效率非常低。

发明内容

鉴于上述现有技术中存在或潜在的不足之处，本发明提供了一种TEM蓝宝石衬底LED试样晶格方向的确认方法，可快速判断晶格方向，提高TEM制样效率，减少基板错切晶格方向。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案是提供了一种TEM蓝宝石衬底LED试样晶格方向的确认方法，其特征在于，包括步骤：

将LED试样放置于DB-FIB机台上，获取所述LED试样中蓝宝石衬底的俯视图，所述俯视图中密布有图形化蓝宝石结构；

以相邻三个图形化蓝宝石结构的连线作为六边形的一条边，于所述俯视图上连线形成一六边形；以及

将所述六边形中相间位的两个角进行连线，令得到的连线方向作为所述LED试样的待切片的晶格方向。

本发明采用上述技术方案，在DB-FIB(DUAL-BEAM FOCUSED ION BEAM，双束型聚焦离子束)机台下，观察LED试样中蓝宝石衬底的俯视图，将俯视图中的若干个图形化蓝宝石结构以一定规律连线构成六边形结构，以六边形结构中的任意相间位的一对角的连线作为LED试样的待切片的晶格方向，巧妙地结合图形化蓝宝石结构和六边形结构，快速分辨出符合TEM(Transmission Electron Microscope[Microscopy]透射电子显微镜)的最佳拍摄影像要求的LED试样的晶格方向，避免反复切片、确认的工序，有效节省TEM制样时间，提高效率。

本发明的一些实施例中，在将LED试样放置于DB-FIB机台上之前，还包括步骤：观察LED试样是否具有蓝宝石衬底；并且，在确认所述LED试样具有所述蓝宝石衬底后，将所述LED试样放置于DB-FIB机台上。