[发明专利]一种镍铜镓记忆合金膜的制备方法

权利要求书

1.一种镍铜镓记忆合金膜的制备方法，该方法包括如下步骤：

（1）配料

按以下重量份配制混合粉

镍粉 56-65份；

铜粉 25-32份；

镓粉 9-12份

镝粉 0.3-1.2份

将混合粉置于不锈钢球磨罐中，注满无水乙醇后密封，在行星式球磨机上球磨3-4h，球磨中采用的球料比为10∶1，球磨机的转速为400-500r/min，之后，将球磨好的混合粉取出并置于滤纸上静置6-8分钟，得到原料粉；

（2）制备记忆合金靶材

上述原料粉熔炼，熔炼前抽真空到0.5×10^-3-2×10^-3Pa，再充入氦气至2-5Pa，开始熔炼，控制熔炼功率在500-600kW之间；

由于中频感应自身的熔炼原理，融化后的金属液体就会在电磁场的作用下流动搅拌，当被融化的金液体倒入模具中，得到试样，待其冷却取出；

将试样经线切割和机械抛光去除表面杂质，清洗后封入真空度为10^-2-10^-1Pa的石英管中，在1050-1150℃的条件下保温3-4h，再淬入冰水中得到记忆合金靶材；

（3）采用上述合金靶材，使用磁控溅射方法，在基体上形成薄膜状的钛镍钴记忆合金膜：

抽真空至10^-4Pa以上，充入氮气，然后再抽真空至10^-4Pa，调整工作电压为500V，溅射占空比65-68%，开始进行溅射沉积，控制厚度为150-250μm得到薄膜状的钛镍钴记忆合金膜；

启动轧机系统，设定上下轧辊的速比为1.2-1.5 ，设定每次轧制形变量为2-3%；设定低速辊的速度为0.05-0.1m/s，开始钛镍钴记忆合金膜的轧制过程；一次轧制过后，重复进行轧制3-5次，轧制过程中，保持环境温度为-30至-20摄氏度；在150-200摄氏度进行低温热处理1-2h，得到产品。