[发明专利]MEMS声学换能器元件和制造MEMS声学换能器元件的方法有效
申请号: | 201810307956.4 | 申请日: | 2018-04-08 |
公开(公告)号: | CN108696811B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | M·施泰尔特;H·托伊斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H04R19/00 | 分类号: | H04R19/00;H04R31/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mems 声学 换能器 元件 制造 方法 | ||
本公开涉及一种MEMS声学换能器元件(100)以及一种用于制造这样的MEMS声学换能器元件(100)的方法,其中,所述方法还包括提供第一衬底(200),其中所述第一衬底(200)具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)。另外的方法步骤包括:从所述第二衬底侧(202)起,在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻,直到第一深度(d1),另外的方法步骤包括:从所述第二衬底侧(202)起,在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施第二蚀刻,以便在所述第一面部段(221)中暴露所述膜层(203)并且为所述膜层(203)产生背部容积。
技术领域
本公开的实施方式涉及MEMS声学换能器元件以及涉及用于制造MEMS声学换能器元件的方法或用于MEMS麦克风的晶片层封装。
背景技术
MEMS声学换能器元件(MEMS:微机电系统)可以例如以MEMS麦克风的形式或以MEMS扬声器等的形式形成。此时,对这样的MEMS声学换能器元件尤其提出以下两个要求:
在较大信噪比(SNR)方面的高声学性能,
小封装尺寸。
声学性能与所谓的背部容积直接相关。这里的一般规则是:背部容积越大,声学性能越好。因此,在高声学性能方面的第一要求在很大程度上与大背部容积关联,并且因此当然也不可避免地与很大的封装尺寸关联。
如今,例如所谓的OCP(开腔式封装)被用于MEMS麦克风,如图12所示。在此,MEMS麦克风的背部容积1250借助于固定在衬底1200处的盖1201实现。有时借助于预成型衬底或借助于特殊的层压技术提供背部容积1250。为此,使用不同类型的盖1201和材料,例如金属盖或铸造盖。
然而,背部容积1250与封装尺寸之间的尺寸比受到不利影响,这是由于所提供的腔1208内布置有单个裸片1202、1203这一事实。出于这个原因,由于专用集成电路(简称ASIC)的单个芯片1202、1203以及球形封装而减小了背部容积1250。因此背部容积与封装尺寸之间的尺寸比被这些已知的设计概念所限制。
由于总体上在MEMS声学换能器元件中的上述两个要求,也就是声学性能和封装尺寸彼此排斥,并且普通的封装方案不适合于解决这些矛盾,所以期望新的封装方案。在此应该提高背部容积与封装尺寸之间的尺寸比。
发明内容
因此在本公开中提出了MEMS声学换能器元件以及制造MEMS声学换能器元件的方法,其克服了上述问题。
附图说明
在附图中示出并且在下面解释实施例。图示:
图1示出了用于示意用于制造MEMS声学换能器元件的方法的实施例的框图,
图2A是用于制造MEMS声学换能器元件的示例性方法的步骤的具体图示,
图2B是用于制造MEMS声学换能器元件的示例性方法的另一步骤的具体图示,
图2C是用于制造MEMS声学换能器元件的示例性方法的另一步骤的具体图示,
图2D是用于制造MEMS声学换能器元件的示例性方法的另一步骤的具体图示,
图2E是对第一衬底的第二衬底侧的俯视图,
图2F是用于制造MEMS声学换能器元件的示例性方法的另一步骤的具体图示,
图2G是用于制造MEMS声学换能器元件的示例性方法的另一步骤的具体图示,
图2H是用于制造MEMS声学换能器元件的示例性方法的另一步骤的具体图示,
图3是MEMS声学换能器元件的实施例,
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