[发明专利]逆阻型IGBT短路保护电路、方法及系统和存储介质

说明书

本发明公开了一种逆阻型IGBT短路保护电路、方法及系统和计算机可读存储介质，该电路包括：与逆阻型IGBT的集电极相连的高阻值电阻；高阻值电阻为阻值高于预设值的电阻；与高阻值电阻相连用于对电压进行绝对值转换的压差检测单元；与压差检测单元的输出信号端相连用于对压差检测单元的输出电压进行模数转换的比较器电路；过流信号端与比较器电路相连的驱动及检测芯片；与驱动及检测芯片的输出端相连的DSP芯片；驱动及检测芯片的参考地端与压差检测单元的输出地端相连，驱动及检测芯片的驱动端与压差检测单元的驱动电路相连，实现了逆阻型IGBT的短路保护，避免了损坏驱动保护电路。

技术领域

本发明涉及保护电路技术领域，更具体地说，涉及一种逆阻型IGBT短路保护电路、方法及系统一种计算机可读存储介质。

背景技术

现有技术中的IGBT短路保护电路如图1所示，通过使用检测二极管D来实现。其工作过程简述如下：

(1)当IGBT关断时，二极管D阻断IGBT集电极高压对检测电路的影响。

(2)当IGBT导通时，电流源经由二极管D，IGBT形成回路。由于IGBT饱和导通时管压降Vce很低，比较器同相端被钳制在低电位，不输出短路故障信号。

(3)当IGBT发生短路时，会迅速退出饱和，Vce上升。当比较器同相端电位超过反相端时，即输出短路故障信号，引发保护动作。

传统的IGBT无法承受反压，一般情况下，其反并联的二极管保证Vce钳位在0V以上。因此图中A点不会出现负电位。上述IGBT的短路保护方式应用到逆阻型IGBT时如图2所示，逆阻型IGBT工作在反向阻断条件下，发射极电位高于集电极，形成图中的电流回路，导致A点出现负电位，该负电位将损坏驱动保护电路。

因此，如何实现逆阻型IGBT的短路保护，避免损坏驱动保护电路是本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种逆阻型IGBT短路保护电路、方法及系统一种计算机可读存储介质，实现了逆阻型IGBT的短路保护，避免了损坏驱动保护电路。

为实现上述目的，本发明提供了逆阻型IGBT短路保护电路，包括：

与所述逆阻型IGBT的集电极相连的高阻值电阻；其中，所述高阻值电阻为阻值高于预设值的电阻；

与所述高阻值电阻相连，用于对电压进行绝对值转换的压差检测单元；

与所述压差检测单元的输出信号端相连，用于对所述压差检测单元的输出电压进行模数转换的比较器电路；

过流信号端与所述比较器电路相连的驱动及检测芯片；

与所述驱动及检测芯片的输出端相连的DSP芯片；

其中，所述驱动及检测芯片的参考地端与所述压差检测单元的输出地端相连，所述驱动及检测芯片的驱动端与所述压差检测单元的驱动电路相连，所述驱动及检测芯片与所述压差检测单元的公共端通过第一电容与所述驱动及检测芯片相连并接地。

其中，所述比较器电路包括比较器、第二电容、第三电容、第五电阻、第六电阻和第七电阻；

所述比较器的输出端与所述驱动及检测芯片的所述过流信号端相连，所述比较器的正极通过所述第五电阻与所述压差检测单元的所述输出信号端相连；

所述第六电阻、所述第二电容与所述第七电阻和所述第三电容组成的串联支路并联，所述第六电阻与所述第七电阻的公共端与所述比较器的负极相连；

所述第二电容与所述第三电容的公共端接地，所述第三电容与所述第七电阻的公共端与电源相连。

其中，所述压差检测单元包括第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电阻和所述驱动电路；