[发明专利]一种基于四方相钽铌酸钾晶体的低电压驱动电光调Q开关

权利要求书

1.一种基于四方相钽铌酸钾晶体的低电压驱动电光调Q开关，其特征在于：所述钽铌酸钾即KTa_1-xNb_xO₃晶体为四方相4mm点群，其中0.4<x<0.7；其组成包括：沿激光光路依次放置的偏振片、四方相钽铌酸钾晶体和四分之一波片；其突出特性为：施加在晶体上的四分之一波电压为150-200V之间，重复频率为1-1000Hz。

2.根据权利要求1所述的电光调Q开关，其特征在于：通过四方相钽铌酸钾晶体器件前激光的偏振方向与晶体X/Y方向成45度角。

3.根据权利要求2所述的电光调Q开关，其特征在于：所述四方相钽铌酸钾晶体器件的通光面为边平行于钽铌酸钾晶体的X和Y轴的正方形或长方形，边长为1-12mm。

4.根据权利要求3所述的电光调Q开关，其特征在于：所述四方相钽铌酸钾晶体器件的通光方向为沿着钽铌酸钾晶体的光学主轴Z方向，钽铌酸钾晶体器件的通光方向的长度为6-30mm。

5.根据权利要求4所述的电光调Q开关 ，其特征在于：所述四方相钽铌酸钾晶体器件垂直于通光方向的面是表面光学抛光，且镀以对激光透过率大于99％的膜或者不镀膜；垂直于光学主轴Z方向的XZ或YZ面镀以金属膜层作为电极。

6.根据权利要求5所述的电光调Q开关，其特征在于：所述的四分之一波片可根据激光的波长进行选择，可对所用激光波长产生寻常光与非寻常光相位差为π/2。

7.根据权利要求6所述的电光调Q开关，其特征在于：所述的边长是3-6mm，所述的金属膜为金膜或钛膜。