[发明专利]一种聚合物/氧化物复合有机纳晶场效应晶体管气体传感器制备方法

权利要求书

1.一种聚合物/氧化物复合有机纳晶场效应晶体管气体传感器制备方法包括：衬底（1），复合绝缘层包括氧化物层（2）、聚合物层（3），氧化物缓冲层（4），有机纳晶层（5），氧化物缓冲层（6），电极（8）。

2.根据权利要求1所述的一种聚合物/氧化物复合有机纳晶场效应晶体管气体传感器制备方法，其特征在于复合绝缘层中氧化物层（2）采用二氧化硅（SiO₂），厚度在200-220 nm之间；聚合物层（3）由聚乙烯吡咯烷酮（PVP）溶液旋涂制成，采用乙醇溶剂，溶液浓度为5mg/ml，旋涂条件为前转400 r、6 s，后转1300 r、30 s，厚度在200 nm到300 nm之间。

3.根据权利要求1所述的一种聚合物/氧化物复合有机纳晶场效应晶体管气体传感器制备方法，其特征在于氧化物缓冲层（4）和（6）由二氧化钛（TiO₂）溶液旋涂制成，采用乙醇溶剂，溶液浓度为2 mg/ml，旋涂条件为前转500 r、6 s，后转1800 r、30 s，厚度在50 nm到100 nm之间。

4.根据权利要求1所述的一种聚合物/氧化物复合有机纳晶场效应晶体管气体传感器制备方法，其特征在于有机纳晶层（5）由六噻吩（α-6T）在8×10^-4 Pa下蒸镀制成，衬底温度为90 ℃，厚度为20 nm，先后以快速0.5-1 nm/min、慢速0.1-0.2 nm/min、再快速0.5-1 nm/min的蒸镀速率分别沉积10 min、60 min、10 min形成柱状纳米晶体。