[发明专利]一种Graphene/SiC异质结纳米阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201810311138.1 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108493082B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 王霖;高凤梅;陈善亮;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结 制备 纳米阵列 催化剂薄膜 高纯石墨坩埚 聚合物前驱体 纳米阵列结构 催化剂形成 气氛烧结炉 无机半导体 异质结材料 热处理 保护气体 石墨坩埚 随炉冷却 石墨烯 碳化硅 溅射 可控 保温 清洗 生长 | ||
1.一种Graphene/SiC异质结纳米阵列的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：
1）在清洗后的SiC晶片上溅射催化剂形成催化剂薄膜；
2）将处理后的聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于石墨坩埚中；所述的聚合物前驱体为聚硼硅氮烷；聚合物前驱体的处理为热交联固化和粉碎，或直接液态；
3）将高纯石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在保护气体的作用下在1520-1600℃下保温30-40 min进行热处理，随炉冷却至室温，制得Graphene/SiC异质结纳米阵列；
热处理的保护气体和热交联处理气氛中的气体均为Ar；
所述的催化剂为Au、Ag中的一种或两种。
2.根据权利要求1所述的Graphene/SiC异质结纳米阵列的制备方法，SiC晶片的清洗依次采用丙酮、去离子水和乙醇超声清洗。
3.根据权利要求1所述的Graphene/SiC异质结纳米阵列的制备方法，其特征在于，聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于石墨坩埚中时，聚合物前驱体置于坩埚底部，SiC晶片置于粉末上方，带催化剂薄膜面朝向粉末。
4.根据权利要求1所述的Graphene/SiC异质结纳米阵列的制备方法，其特征在于，热交联在管式气氛烧结炉中在保护气体下进行，热交联的温度为230-280℃，时间为20-40min。
5.根据权利要求1所述的Graphene/SiC异质结纳米阵列的制备方法，所述热处理的温度为1540-1560℃，热处理时间为30min。
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