[发明专利]一种半导体激光器芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810311423.3 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108512035A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 颜建;胡双元;吴文俊;黄勇;米卡·瑞桑 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延结构 太阳能电池 双面抛光 半导体激光器芯片 衬底 激光器 金属热沉 金线 半导体激光器 电极连接 电气连接 集成度 正反面 热沉 制作 背面 供电 生长 | ||
1.一种半导体激光器芯片，其特征在于，包括：双面抛光衬底(10)、激光器外延结构(20)以及太阳能电池外延结构(30)；
其中，
所述激光器外延结构(20)，设置于所述双面抛光衬底(10)的正面；所述太阳能电池外延结构(30)，设置于所述双面抛光衬底的背面；
金属热沉(40)，设置于所述激光器外延结构(20)远离所述双面抛光衬底(10)的一侧，与所述激光器外延结构(20)的电极(21)连接；
所述太阳能电池外延结构(30)的P面电极(31)通过金线(50)与所述金属热沉(40)连接。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述双面抛光衬底(10)为N型掺杂的GaAs或InP，厚度为300μm至400μm。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述双面抛光衬底(10)的掺杂浓度大于1E19cm3。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述太阳能电池外延结构(30)和所述激光器外延结构(20)的外延层的晶格常数与所述双面抛光衬底(10)的晶格常数一致。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片，其特征在于，在所述双面抛光衬底(10)为GaAs衬底时，所述激光器外延结构(20)为AlGaAs结构的半导体激光器。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述太阳能电池外延结构(30)为GaAs子电池和GaInP子电池组成的多结太阳能电池。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片，其特征在于，在所述激光器外延结构(20)表面形成脊形波导区(22)。
8.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片，其特征在于，在所述太阳能电池外延结构(30)上层形成减反射膜(32)。
9.根据权利要求1至8中任一所述的半导体激光器芯片，其特征在于，所述半导体激光器芯片与所述太阳能电池外延结构(30)的尺寸一致。
10.一种半导体激光器芯片的制作方法，其特征在于，包括：
选取双面抛光衬底；
生成激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，所述激光器外延结构，设置于所述双面抛光衬底的正面；所述太阳能电池外延结构，设置于所述双面抛光衬底的背面；
设置金属热沉；所述热沉设置于所述激光器外延结构远离所述双面抛光衬底的一侧，与所述激光器外延结构的电极连接；
设置金线；所述太阳能电池外延结构的P面电极通过所述金线与所述金属热沉连接。
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