[发明专利]制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区

说明书

本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第三薄介电层直接侧向设置在所述第一和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上。

本申请是基于申请日为2014年12月12日、申请号为2014800566065(国际申请号为PCT/US2014/070163)、发明创造名称为“制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本公开的实施例属于可再生能源领域，并且具体地讲，涉及制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。

背景技术

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子空穴对。电子空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区，从而使掺杂区之间生成电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。

效率是太阳能电池的重要特性，因其直接与太阳能电池发电能力有关。同样，制备太阳能电池的效率直接与此类太阳能电池的成本效益有关。因此，提高太阳能电池效率的技术或提高制造太阳能电池效率的技术是普遍所需的。本公开的一些实施例允许通过提供制造太阳能电池结构的新工艺而提高太阳能电池的制造效率。本公开的一些实施例允许通过提供新型太阳能电池结构来提高太阳能电池效率。

附图说明

图1示出了根据本公开的实施例的背接触太阳能电池的一部分的剖视图。

图2示出了根据本公开的另一个实施例的背接触太阳能电池的一部分的剖视图。

图3为根据本公开的实施例的流程图，所述流程图列出了与图5A-5F相对应的制造太阳能电池的方法中的操作。

图4为根据本公开的实施例的流程图，所述流程图列出了与图5A-5F和图6A-6B相对应的制造太阳能电池的方法中的操作。

图5A-5F示出了根据本公开的实施例的太阳能电池制造中的各个阶段的剖视图。

图6A-6B示出了根据本公开的另一个实施例的太阳能电池制造中的各个阶段的剖视图。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作例子、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其它实施优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括对“一个实施例”或“实施例”的提及。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中的术语的定义和/或背景：

“包含/包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除另外的结构或步骤。