[发明专利]一种玻纤增强低介电尼龙材料及其制备方法在审
申请号: | 201810312351.4 | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN108410167A | 公开(公告)日: | 2018-08-17 |
发明(设计)人: | 李娟;张敬;何文涛;郭建兵;向宇姝;龙丽娟 | 申请(专利权)人: | 贵州省材料产业技术研究院 |
主分类号: | C08L77/06 | 分类号: | C08L77/06;C08L83/04;C08K13/06;C08K9/06;C08K7/14;C08K5/103;C08J5/08 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 蔡蓉 |
地址: | 550014 贵州省贵阳市白云*** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 尼龙材料 玻纤增强 低介 制备 机械性能 耐热性 电子设备领域 热氧稳定剂 加工性能 介电性能 尼龙树脂 成核剂 润滑剂 玻纤 石英 应用 | ||
本发明提供了一种玻纤增强低介电尼龙材料及其制备方法。本发明玻纤增强低介电尼龙材料主要由:尼龙树脂、石英玻纤、成核剂、润滑剂,以及热氧稳定剂等为原料制成。本发明所制备的尼龙材料机械性能优异、介电性能好、耐热性好,并且具有良好的加工性能,进一步扩展了尼龙材料在电子设备领域的应用。
技术领域
本发明属于高分子改性材料领域,具体涉及一种玻纤增强低介电尼龙材料及其制备方法。
背景技术
随着电子信息技术的突飞猛进,电子产品正朝着轻量化、高性能化和多功能化的方向发展,也就越来越需要开发具有良好性能的低介电常数材料。随着聚合物材料在电子产品中应用的增大,低介电常数聚合物已成为低介电材料研究的一个重要方向。
目前,对低介电常数聚合物的研究报告并不多见,中国专利CN105419277A公开了一种低介电性能的复合材料,其将含有苯乙烯结构单元的低介电聚合物,加入到通过自由基聚合固化的不饱和聚酯树脂、乙烯基酯树脂、单组份聚氨酯树脂等热固性树脂中,以得到低介电性能复合材料,该材料在1GHZ以上频率下介电常数不大于3.8。
尼龙作为五大工程材料之一,具有良好力学性能、耐热性、耐磨损性、耐化学药品性和自润滑性,且摩擦系数低,易于加工,适于以填料进行填充增强改性,改性后的尼龙可更广泛的用于汽车、船舶、电子电气等领域。近年来,除了增强改性外,常见的还有对于尼龙的阻燃改性,透明改性,抗冲改性,抗静电改性和导电改性等,而鲜有对低介电尼龙材料的报道。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种玻纤增强低介电尼龙材料,所述的玻纤增强低介电尼龙材料具有易于加工,力学性能优异,并且具有低介电性能,能够在电子材料中应用。
本发明的第二目的在于提供一种所述的玻纤增强低介电尼龙材料的制备方法。
本发明的第三目的在于提供一种包含所述的玻纤增强低介电尼龙材料的器件或装置。
为了实现本发明的上述目的,特采用以下技术方案:
一种玻纤增强低介电尼龙材料,所述玻纤增强低介电尼龙材料主要由以下原料制成:
尼龙树脂、石英玻纤、成核剂、润滑剂,以及热氧稳定剂。
优选的,按照质量份数计,本发明所述的玻纤增强低介电尼龙材料,主要由以下原料制成:
尼龙树脂30~100份,石英玻纤15~80份,成核剂0.1~2份,润滑剂0.1~5份,以及热氧稳定剂0.1~2份;
更优选的,按照质量份数计,所述玻纤增强低介电尼龙材料主要由以下原料制成:
尼龙树脂40~80份,石英玻纤20~60份,成核剂0.1~1份,润滑剂0.1~3.5份,以及热氧稳定剂0.1~1.5份。
优选的,本发明所述的玻纤增强低介电尼龙材料中,所述尼龙树脂包括:
尼龙610、尼龙612、尼龙1010、尼龙1012、尼龙1012、尼龙1212,或者尼龙12中的一种或几种。
优选的,本发明所述的玻纤增强低介电尼龙材料中,所述石英玻纤为氧化硅含量99%以上的石英玻璃纤维;
更优选的,所述石英玻纤为经偶联剂改性的玻璃纤维;
更优选的,所述石英玻纤为单丝直径为5~25μm的短切石英玻纤。
优选的,本发明所述的玻纤增强低介电尼龙材料中,所述成核剂包括:CaV102或者P22中的一种或两种。
优选的,本发明所述的玻纤增强低介电尼龙材料中,所述润滑剂包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州省材料产业技术研究院,未经贵州省材料产业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810312351.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:草帽的制作工艺
- 下一篇:一种插层聚吡咯纳米材料及其制备方法