[发明专利]制备用于PERC叠瓦组件的太阳能电池片的方法和系统

权利要求书

1.一种制备用于PERC叠瓦组件的太阳能电池片的方法，包括以下步骤：

提供硅片步骤，提供硅片作为制备所述太阳能电池片的原料；

扩散制结步骤，在所述硅片中形成N型半导体和P型半导体的交界面，即PN结；

背钝化步骤，通过PECVD或者ALD工艺在所述硅片的背面施加一层背钝化膜；

镀背面保护膜步骤，通过PECVD方法在所述背钝化膜上沉积一层保护膜；

激光刻槽步骤，通过激光烧蚀在所述背钝化膜和所述背面保护膜中开槽，露出硅片；

丝网印刷步骤，其中，使用贵金属浆料对所述硅片的正面进行丝网印刷，得到主栅线和副栅线；仅使用铝浆对所述硅片的背面进行丝网印刷，实现所述太阳能电池片的铝背场覆盖；以及

快速烧结步骤，形成欧姆接触，能够收集和对外传导光生载流子。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述提供硅片步骤之后执行表面制绒步骤，使用化学试剂在所述硅片的表面上获得绒面结构。

3.按照权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述表面制绒步骤之后执行清洗步骤，对于所述制绒步骤中残留的化学试剂进行清洗。

4.按照前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述扩散制结步骤之后执行等离子刻蚀步骤，通过等离子刻蚀将边缘PN结刻蚀去除。

5.按照权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述等离子刻蚀步骤之后执行抛光步骤，以将所述硅片的表面抛光。

6.按照前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述扩散制结步骤之后执行去磷硅玻璃步骤，通过化学腐蚀法去除在所述扩散制结步骤中在所述硅片的表面形成的磷硅玻璃。

7.按照权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述去磷硅玻璃步骤之后执行低温退火步骤，以恢复所述硅片中由在所述扩散制结步骤中的高温导致的晶格缺陷。

8.按照前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述镀背面保护膜步骤之后执行镀减反射膜步骤，通过PECVD方法在所述硅片的正面沉积一层或多层减反射膜。

9.按照前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述快速烧结步骤之后执行光注入或电注入工序。

10.按照前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述贵金属浆料是金属银浆料，该金属银浆料是由金属银的微粒、玻璃粉、有机溶剂组成的混和物的粘稠状的浆料。

11.按照前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述铝浆是由金属铝的微粒、玻璃粉、有机溶剂所组成的混和物的粘稠状的浆料。

12.按照前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，在所述丝网印刷步骤中，在所述硅片的背面预留一个或多个切割缝。

13.按照前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述背钝化膜是三氧化二铝膜。

14.按照前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述背面保护膜是氮化硅膜。

15.一种制备PERC叠瓦组件的方法，包括以下步骤：

按照前述权利要求1至14中任一项所述的方法制备太阳能电池片；

将所述太阳能电池片切割和分离成多个小电池片；

各个小电池片相互之间以叠瓦方式排列并以导电胶粘剂实现彼此互联；以及

封装。

16.按照权利要求15所述的方法，其特征在于，对所述太阳能电池片进行效率分档测试。