[发明专利]一种高压开关柜接地闸刀微机防误闭锁装置及方法

权利要求书

1.一种高压开关柜接地闸刀微机防误闭锁装置，其特征在于，

包括高压开关柜接地闸刀、带电显示装置和五防锁，

所述高压开关柜接地闸刀包括线路接地闸刀、母线压变接地闸刀和母线接地闸刀，在线路接地闸刀、母线压变接地闸刀和母线接地闸刀处均加装具有防误闭锁功能的五防锁；所述五防锁通过逻辑单元与带电显示装置连接；所述带电显示装置包括若干个高压传感器单元、屏蔽线和显示单元，所述若干个高压传感器单元分别与一根高压母线连接，所述屏蔽线将高压传感单元与显示单元连接，所述显示单元包括若干个指示灯位、电子电路以及与五防电脑操作钥匙相适配的电脑钥匙接口，所述电子电路包括若干个升压电路和若干个指示回路；

所述升压电路与高压传感器单元和指示回路连接，所述若干个指示回路分别与指示灯电气连接，所述指示回路包括稳压二极管、限流电阻和发光二极管，所述升压电路输入端一端由屏蔽线连接高压传感单元的输出端，另一端经限流电阻接地，升压电路输出端第一端与稳压二极管阴极和发光二极管阳极连接，稳压二极管阳极和发光二极管阴极与升压电路输出端第二端连接，所述发光二极管位于所述指示灯位处；

所述电子电路包括若干个升压电路和若干个指示回路，所述升压电路与高压传感器单元和指示回路连接；

所述升压电路包括电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、二极管D1、二极管D2、稳压二极管D11、稳压二极管D12、MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5和MOS管Q6，所述MOS管Q1、MOS管Q3、MOS管Q4和MOS管Q6均为耗尽型P沟道MOS管，MOS管Q2和MOS管Q3均为增强型N沟道MOS管，所述电容C1、电容C2、电容C3和电容C4参数相当，所述电容C5和电容C6参数相当，所述电容C1第一端、电容C3第一端、稳压二极管D11阴极、稳压二极管D12阴极、MOS管Q3漏极以及MOS管Q6漏极均与端口P1连接，端口P1与高压传感单元的输出端连接，电容C1第二端以及MOS管Q1源极和MOS管Q2漏极连接，MOS管Q1的漏极与二极管D1阳极以及电容C2第二端连接，二级管D1阴极接地，MOS管Q2源极以及电容C2第一端和MOS管Q3源极连接，MOS管Q1栅极、MOS管Q2栅极、MOS管Q3栅极以及电容C5第一端均与稳压二极管D11阳极连接；

MOS管Q1基极、MOS管Q2基极、MOS管Q3基极、MOS管Q4基极、MOS管Q5基极、MOS管Q6基极、电容C5第二端和电容C6第二端均接地；

电容C3第二端以及MOS管Q4源极和MOS管Q5漏极连接，MOS管Q4漏极以及二极管D2阴极和电容C4第二端连接，二极管D2阳极接地，电容C4第一端以及MOS管Q5源极和MOS管Q6源极连接，MOS管Q4栅极、MOS管Q5栅极、MOS管Q6栅极以及电容C6第一端均与稳压二极管D12阳极连接；

所述指示回路包括稳压二极管D13、发光二极管D21和限流电阻R，稳压二极管D13阴极和电容C4第二端连接，稳压二极管D13阳极与发光二极管D21阴极和限流电阻R第一端与电容C2第二端连接，稳压二极管D13阴极与发光二极管D21阳极连接，限流电阻R第二端接地；

调整稳压二极管D11和D12的参数，可以调整MOS管Q1、MOS管Q2和MOS管Q3接通或截止变化的时机，使其与电容C1和C2的充电过程匹配；类似地，当P1点电位为负时，将为电容C3和C4充电，并在完成充电时电容C3和C4由并联转为串联，将电容C1、C2、C3和C4选择为容量较大的电容，而电容C5和C6选择容量较小的电容。

2.根据权利要求1所述的一种高压开关柜接地闸刀微机防误闭锁装置，其特征在于，

当高压开关柜带电显示装置的逻辑单元输出结果为真时，所述五防锁合锁。

3.一种利用高压开关柜接地闸刀微机防误闭锁装置进行的高压开关柜接地闸刀微机防误闭锁方法，适用于如权利要求2所述的一种高压开关柜接地闸刀微机防误闭锁装置，其特征在于，

包括以下步骤：

A1）操作人员根据调度命令开票；

A2）拟好的操作票经正值、值长审核无误并签名后，进行某条线路由运行改为开关及线路检修的倒闸操作；

A3）在合线路接地闸刀前，若高压开关柜接地闸刀带电显示微机防误闭锁装置验证线路无电，则可进行线路接地闸刀合闸。