[发明专利]原子层化学气相沉积系统生长(MO2)x(SiO2)1-x金属氧化物薄膜的方法

权利要求书

1.一种原子层化学气相沉积系统生长(MO₂)_x(SiO₂)_1-x金属氧化物薄膜的方法，其特征在于具体步骤如下：

a)将基底放入适量无水乙醇中，超声清洗1分钟后，用去离子水超声清洗3分钟，去除表面杂质，然后利用高纯氮气吹干后置于原子层化学气相沉积腔体内的样品台上，生长(MO₂)_x(SiO₂)_1-x金属氧化物薄膜过程中，Si源选用三(二甲胺基)硅(Si(N(CH₃)₂)₃)，氧源可在臭氧和水中任选一种，M可在Hf、Zr、Ti中任选一种，所用金属源分别为四(二甲胺基)铪(Hf(N(CH₃)₂)₄)、四(二甲胺基)锆(Zr(N(C₂H₅)₂)₄)、四(二甲胺基)钛(Ti(N(CH₃)₂)₄)，衬底温度在300-400℃范围内，源的温度在180-200℃范围内；

b)利用原子层化学气相沉积在基底上沉积(MO₂)_x(SiO₂)_1-x金属氧化物薄膜时，首先生长n₁个循环的MO₂，n₁在1-5范围内选择，而后生长m₁个循环的SiO₂，m₁在1-5范围内选择，然后再生长n₂个循环的MO₂，n₂在1-5范围内选择，紧接着生长m₂个循环的SiO₂，m₂在1-5范围内选择，如此交替重复生长，其中交替重复生长次数根据薄膜厚度需要可在2-200范围内选择；

c)生长后的(MO₂)_x(SiO₂)_1-x金属氧化物薄膜原位保温时间控制在30-60分钟范围内。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于Si源选用三(二甲胺基)硅，Hf、Zr、Ti源分别选择四(二甲胺基)铪、四(二甲胺基)锆、四(二甲胺基)钛。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于MO₂和SiO₂交替重复生长，循环次数可以相同，也可不相同，交替重复生长次数相同。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于通过MO₂和SiO₂各自循环次数调控薄膜成分，通过交替重复生长次数控制薄膜厚度。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于基底在半导体衬底、玻璃衬底、金属衬底中任选一种。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于生长的(MO₂)_x(SiO₂)_1-x金属氧化物薄膜原位保温30-60分钟。