[发明专利]一种差压压力传感器的制备方法

权利要求书

1.一种差压压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：

制备带有腔体的绝缘体晶圆，所述带有腔体的绝缘体晶圆包括依次叠置的器件层、氧化层和衬底层，所述衬底层和所述氧化层之间包括位于所述衬底层内的封闭的环形腔体；

在所述器件层的表面制备压敏电阻；在压敏电阻的表面制作绝缘复合层；

刻蚀掉所述环形腔体的正投影范围内的部分所述衬底层至露出所述环形腔体。

2.如权利要求1所述的差压压力传感器的制备方法，其特征在于，所述制备带有腔体的绝缘体晶圆包括：

制备带岛晶圆，所述带岛晶圆的正面包括第一凹槽和被所述第一凹槽包围的第一凸岛；

提供绝缘体晶圆，所述绝缘体晶圆的正面包括第一硅层；

将所述绝缘体晶圆的正面和所述带岛晶圆的正面贴合；

从所述绝缘体晶圆的背面向下刻蚀至露出所述绝缘体晶圆的所述第一硅层。

3.如权利要求2所述的差压压力传感器的制备方法，其特征在于，所述制备带岛晶圆包括：

提供晶圆；

对所述晶圆的第一表面进行热氧化形成第一二氧化硅层；

从所述第一二氧化硅层向下刻蚀至所述晶圆内部形成环形凹槽，刻蚀掉剩余的所述第一二氧化硅层。

4.如权利要求3所述的差压压力传感器的制备方法，其特征在于，在对所述晶圆的第一表面进行热氧化形成第一二氧化硅层之前后之后，进一步包括：

对所述晶圆的第二表面进行热氧化形成第二二氧化硅层。

5.如权利要求4所述的差压压力传感器的制备方法，其特征在于，刻蚀掉所述环形腔体的正投影范围内的部分所述衬底层至露出所述环形腔体包括：

采用光刻或等离子体刻蚀工艺刻蚀掉所述环形腔体的正投影范围内的所述第二二氧化硅层；

以剩余的所述第二二氧化硅层作掩膜，采用深反应离子刻蚀或等离子体刻蚀工艺向上刻蚀至露出所述环形腔体。

6.如权利要求2所述的差压压力传感器的制备方法，其特征在于，所述将所述绝缘体晶圆的正面和所述带岛晶圆的正面贴合包括：

对所述绝缘体晶圆的正面进行热氧化形成第三二氧化硅层；

将所述绝缘体晶圆倒置使其背面朝上，对所述绝缘体晶圆的正面和所述带岛晶圆的正面进行二氧化硅-硅键合。

7.如权利要求2所述的差压压力传感器的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为20～50微米。

8.如权利要求1所述的差压压力传感器的制备方法，其特征在于，进一步包括：

在所述器件层的表面刻蚀第二凹槽形成第二凸岛，所述压敏电阻位于所述第二凸岛上；

刻蚀掉所述环形腔体的正投影范围内剩余的所述衬底层和所述氧化层，至露出所述器件层。

9.如权利要求8所述的差压压力传感器的制备方法，其特征在于，所述第二凸岛为十字形、矩形或圆形。

10.如权利要求1-9中任一所述的差压压力传感器的制备方法，其特征在于，所述差压压力传感器包括微差压压力传感器。