[发明专利]接合材料和接合构造体在审
申请号: | 201810314557.0 | 申请日: | 2014-02-07 |
公开(公告)号: | CN108569908A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 儿玉一宗;内藤孝;藤枝正;泽井裕一;青柳拓也;宫城雅德 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | C04B37/02 | 分类号: | C04B37/02;C03C27/04;C03C12/00;C03C8/24;B32B7/04;B32B15/00;B32B17/00;H01L23/29 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基材 氧化物 接合构造体 金属 玻璃组合物 接合材料层 接合材料 半导体 陶瓷 金属化处理 玻璃 基材接合 接合 软钎料 种基材 换算 | ||
1.一种接合构造体,其特征在于,具备:
第一基材;
第二基材;和
将所述第一基材和所述第二基材接合的接合材料层,
所述第一基材为陶瓷、半导体和玻璃中的任一种基材,
所述接合材料层包含金属和氧化物,
所述氧化物包含玻璃组合物,该玻璃组合物含有Ag、V和Te,且按氧化物换算V2O5、TeO2和Ag2O的合计含量为85质量%以上、不到100质量%,
在所述第一基材与所述金属之间的至少一部分存在所述氧化物,
在所述金属中分散有所述氧化物,
在所述第一基材与所述金属之间存在的所述氧化物的厚度为100nm以下。
2.如权利要求1所述的接合构造体,其特征在于:
在所述金属中分散有空隙。
3.如权利要求1所述的接合构造体,其特征在于:
所述氧化物含有Sb、Ba、W、Fe和碱金属中的至少一种元素。
4.如权利要求1所述的接合构造体,其特征在于:
所述第一基材为氧化铝、氮化铝、氮化硅、硅和碳化硅中的任一种,
所述第二基材为金属基材或金属与陶瓷的复合材料基材。
5.如权利要求4所述的接合构造体,其特征在于:
所述第二基材为Cu、Al和Al-SiC中的任一种。
6.如权利要求1所述的接合构造体,其特征在于:
所述第一基材为氮化铝或氮化硅,该第一基材的表面上0.1~5μm的范围的主要成分为氧化物。
7.如权利要求1所述的接合构造体,其特征在于:
所述金属包含Ag、Cu、Al、Sn、Zn、Au、In、Bi和Pt中的至少一种。
8.一种接合材料,其为通过加热将基材彼此接合的接合材料,其特征在于,具有:
成分中含有V和Te,且Pb为RoHS指令的指定值以下的玻璃;和金属,
所述玻璃含有Ag、V和Te,且按氧化物换算V2O5、TeO2和Ag2O的合计含量为85质量%以上、不到100质量%,
在所述金属中埋入有玻璃的颗粒,
在所述基材与所述金属之间存在的所述玻璃的颗粒的厚度为100nm以下。
9.如权利要求8所述的接合材料,其特征在于:
还具有溶剂,所述接合材料为膏状,所述金属为金属颗粒。
10.如权利要求8所述的接合材料,其特征在于:
所述接合材料的形状为箔状或板状。
11.如权利要求8所述的接合材料,其特征在于:
所述接合材料具有多个层,
所述多个层中的一个层为金属层,
所述多个层中的一个层为玻璃层。
12.如权利要求9~11中任一项所述的接合材料,其特征在于:
所述玻璃中的TeO2的含量为25质量%以上、40质量%以下。
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