[发明专利]一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件

权利要求书

1.一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，包括1个主泄放器件和1个辅助控制器件；其中，

所述的主泄放器件包括第一种导电类型硅衬底、硅衬底上形成的相邻接的第二种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区A；所述第二种导电类型阱区A内设有均与SCR阳极相连的第二种导电类型重掺杂区A和第一种导电类型重掺杂区A；所述第一种导电类型阱区A内设有均与SCR阴极相连的第二种导电类型重掺杂区B和第一种导电类型重掺杂区B，且第二种导电类型阱区A的硅表面上无源区域或有源区域设有覆盖多晶硅层栅氧化层区A；所述第二种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区A之间跨接一个第二种导电类型重掺杂区C，所述第二种导电类型重掺杂区C和第二种导电类型重掺杂区B之间的硅表面上设有栅氧化层区B；

其特征在于，所述的辅助控制器件包括第一种导电类型硅衬底、硅衬底上形成的第二种导电类型阱区B；所述第二种导电类型阱区B内依次设有第一种导电类型重掺杂区C、第一种导电类型重掺杂区D和第二种导电类型重掺杂区D；所述第一种导电类型重掺杂区C与第一种导电类型重掺杂区D之间设有栅氧化层区C，所述栅氧化层区C上覆盖有多晶硅层、并与被保护电路的电源VDD相连；所述第一种导电类型重掺杂区D和第二种导电类型重掺杂区D相连作为辅助控制器件的阴极，所述栅氧化层A上覆盖有多晶硅层、且与辅助控制器件的阴极相连；所述第一种导电类型重掺杂区C为辅助控制器件的阳极，所述栅氧化层B上覆盖有多晶硅层、且与辅助控制器件的阳极相连。

2.按权利要求1所述用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，其特征在于，所述第二种导电类型阱区A硅表面上的栅氧化层区A设置于第二种导电类型阱区A内的第一种导电类型重掺杂区A与所述跨接的第二种导电类型重掺杂区C之间的有SCR电流流过的有源区域、或者第二种导电类型阱区A硅表面上无SCR电流经过的无源区域。

3.按权利要求1所述用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，其特征在于，所述主泄放器件内的第二种导电类型阱区A、第一种导电类型阱区A、第二种导电类型阱区内的第二种导电类型重掺杂区A和第一种导电类型重掺杂区A、第一种导电类型阱区A内的第二种导电类型重掺杂区B和第一种导电类型重掺杂区B、第二种导电类型重掺杂区C、栅氧化层区A及栅氧化层区B呈条状排布，且所述栅氧化层区A和栅氧化层区B中至少一个采用比例分割排布。

4.按权利要求1所述用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，其特征在于，所述主泄放器件与所述辅助控制器件共用第一种导电类型硅衬底，且器件宽度一样或不一样。