[发明专利]苊并吡嗪衍生物及其应用

说明书

本发明涉及一种苊并吡嗪衍生物及其应用，该苊并吡嗪衍生物为包含以下通式(1)表示的化合物： 通式(1)中，Y₁和Y₂选自氢基或氰基中的一种；L₁连接一个或两个R₁，L₂连接一个或两个R₂，且L1和L₂分别选自氢基或单键，和/或，环原子数为6～18的芳基/杂芳族环；R₁和R₂分别选自环原子数为10～40的芳胺基。该苊并吡嗪衍生物通过修饰其他不同化学基团，使其具有优异的发光特性、稳定的结构以及较高的色纯度，同时，其制备成本较低。

技术领域

本发明涉及一种苊并吡嗪衍生物及其应用。

背景技术

自1987年C.W.Tang发明多层结构以来，有机电致发光器件在可见光范围内取得了长足的进展，并且已经广泛应用于平板显示、固态照明等领域。相较而言，深红光特别是近红外放光材料的发展相对落后。但深红/近红外发光材料在安全显示、夜视仪、信息安全存储、光学通信等新兴领域有不可替代的作用。因此，近几年研发新型高效深红/近红外发光材料成为了有机光电领域研究的热点和难点。

目前，深红/近红外发光材料主要分为两大类：过渡金属配合物和具有给体受体结构的纯有机共轭材料。其中，铱、铂等贵金属的配合物能利用三重态的激子发光而受到了更多的关注。但由于此类材料具有很长的三重态寿命，所以大部分近红外磷光器件在高亮度时具有较大的效率滚降。此外，深红/近红外金属配合物需要有很大的共轭，但同时为了可以蒸镀分子量又不能太大，因此，分子设计上具有一定的局限性。作为另一大类深红/近红外发光材料，传统荧光材料也得到了广泛的研究，因为相较于磷光材料其更具有成本优势以及容易调节的光谱。但这类有给体-受体(D-A)构型的近红外传统荧光材料通常有如下缺点：

(1)根据带隙定律，当光谱扩展到近红外区时，非辐射跃迁效率会增大；

(2)只能利用25％的单重态激子。

因此，要实现高效的深红/近红外荧光器件仍然有很大的挑战。尽管近几年，在深红/近红外有机电致发光器件领域取得了很大的进展，但其效率仍然远低于可见光范围的电致发光器件。另外，目前大部分高效的深红/近红外发光器件光谱峰值小于650nm，还没达到真正的深红/近红外区域。而研究表明，苊并吡嗪具有强的吸电子能力，当接上不同的强给电子基团，由于强的分子内电荷转移使得分子具有小的带隙，具有深红/近红外发射；苊并吡嗪具有刚性的平面构型，能有效地的降低分子的振动和转动而达到高的辐射跃迁速率；热活化延迟荧光材料不需要使用铂铱等贵金属，并且其能通过高效的反向系间窜跃过程从而达到理论上100％的机子利用率。

基于上述情况，特提出本发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种苊并吡嗪衍生物及其应用，能降低制造成本，其具有较高的色纯度，且在电致发光器件中的具有较高效率。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：一种苊并吡嗪衍生物，为包含以下通式(1)表示的化合物：

通式(1)中，Y₁和Y₂选自氢基或氰基中的一种；L₁连接一个或两个R₁，L₂连接一个或两个R₂，且L1和L₂分别选自氢基或单键，和/或，环原子数为6～18的芳基/杂芳族环；R₁和R₂分别选自环原子数为10～40的芳胺基。

进一步地，Y₁与Y₂相同。