[发明专利]一种高通量的单色晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201810315924.9 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108707968A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 洪振;刁千顺;张小威;袁清习;盛伟繁;石泓;郑黎荣;姜永诚;刘旭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 高通量 离子注入层 太阳能级单晶硅 表面形成 材料选择 方式放置 同步辐射 单色器 晶体的 离子 平行 加工 应用 | ||
1.一种高通量的单色晶体，其特征在于，单色晶体的材料为不完美单晶硅。
2.如权利要求1所述的单色晶体，其特征在于，所述不完美单晶硅为太阳能级单晶硅。
3.如权利要求2所述的单色晶体，其特征在于，所述太阳能级单晶硅选用太阳能级单晶硅棒料的中段和末段。
4.如权利要求3所述的单色晶体，其特征在于，所述中段的晶向为(111)、(100)、(110)；所述末段的晶向为(111)、(100)、(110)。
5.如权利要求1～4任一所述的单色晶体，其特征在于，所述单色晶体为channel-cut型的晶体。
6.如权利要求1所述的单色晶体，其特征在于，所述不完美单晶硅为对完美单晶硅的表面进行离子注入形成具有μm量级离子注入层的晶体。
7.如权利要求6所述的单色晶体，其特征在于，所述离子为B离子、P离子、Ar离子、Kr离子或Xe离子。
8.如权利要求6或7所述的单色晶体，其特征在于，将两块所述晶体以平行方式放置，以所述离子注入层为工作面，通过两所述离子注入层对输入的光产生衍射。
9.一种高通量的单色晶体的制备方法，其步骤为：将选取的太阳能级单晶硅加工为channel-cut型的晶体。
10.一种高通量的单色晶体的制备方法，其步骤为：选取两完美单晶硅，并对其表面进行离子注入，分别在每一完美单晶硅的表面形成一具有μm量级离子注入层；将两所述不完美单晶硅以离子注入层相对的方式放置，其中所述离子注入层为单色晶体工作面，用于对输入的光产生衍射。
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