[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一基板，其上设置有一或多个鳍片；

一第一栅极结构，其设置于该一或多个鳍片上，其中该第一栅极结构包括在该一或多个鳍片之上的一第一顶部、在该一或多个鳍片的一侧壁上的一第一侧部、以及在该一或多个鳍片之间的一隔离区域上的一第一底部；

一第二栅极结构，其设置于该一或多个鳍片上，并与该第一栅极结构分隔至少一第一间隔，其中该第二栅极结构包括在该一或多个鳍片之上的一第二顶部、在该一或多个鳍片的一侧壁上的一第二侧部、以及在该一或多个鳍片之间的该隔离区域上的一第二底部；

一第三栅极结构，其设置于该一或多个鳍片上，使得该第二栅极结构位于该第一栅极结构与该第三栅极结构之间，其中该第三栅极结构与该第二栅极结构分隔至少一第二间隔，且该第二间隔大于该第一间隔，其中该第三栅极结构包括在该一或多个鳍片之上的一第三顶部、在该一或多个鳍片的一侧壁上的一第三侧部、以及在该一或多个鳍片之间的该隔离区域上的一第三底部；

一第四栅极结构，其设置于该第三栅极结构旁的该一或多个鳍片上，并与该第三栅极结构分隔至少一第三间隔，且该第一间隔大于该第三间隔；

一第五栅极结构，其设置于该第四栅极结构旁的该一或多个鳍片上，并与该第四栅极结构分隔至少一第四间隔，且该第四间隔大于该第三间隔；

一源极区域，其形成于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的该一或多个鳍片的一部分中，该源极区域在该第一栅极结构和该第二栅极结构之间共享；

一漏极区域，其形成于该第二栅极结构与该第三栅极结构之间的该一或多个鳍片的一部分中，该漏极区域在该第二栅极结构和该第三栅极结构之间共享；

一其他源极区域，其形成于该第三栅极结构与该第四栅极结构之间的该鳍片的一部分中，该其他源极区域在该第三栅极结构和该第四栅极结构之间共享；以及

一其他漏极区域，其形成于该第四栅极结构与该第五栅极结构之间的该鳍片的一部分中，该其他漏极区域在该第四栅极结构和该第五栅极结构之间共享；

其中该第一顶部与该第二顶部分隔至少该第一间隔，而该第二顶部与该第三顶部分隔至少该第二间隔；

其中该第一侧部与该第二侧部分隔至少该第一间隔，而该第二侧部与该第三侧部分隔至少该第二间隔；以及

其中该第一底部与该第二底部分隔至少该第一间隔，而该第二底部与该第三底部分隔至少该第二间隔。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该漏极区域大于该源极区域。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一间隔和该第二间隔的一总和为110nm至300nm。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

一接触件，其设置于该源极区域和该漏极区域之上；以及

一其他接触件，其设置于该其他源极区域和该其他漏极区域之上。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二间隔等于该第四间隔。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二间隔大于该第四间隔。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二间隔小于该第四间隔。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一间隔、该第二间隔、该第三间隔、以及该第四间隔为50nm至150nm。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，每个该源极区域和该漏极区域，以及每个该其他源极区域和该其他漏极区域包括N型或P型掺杂剂。