[发明专利]一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法有效
申请号: | 201810317160.7 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108470735B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 郭红霞;琚安安;张凤祁;欧阳晓平;魏佳男;潘霄宇;郭维新;钟向丽;罗尹虹;丁李利;王坦;张阳;秦丽;李波 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L27/11502;H01L21/263 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 李冉 |
地址: | 411100 *** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储器 粒子 扰动 加固 方法 | ||
1.一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法,其特征在于,利用中子对铁电存储器进行预辐照的具体步骤为:
S1:将铁电存储器的管脚短接;
S2:选择等效能量为106eV的中子束,且注量为1013/cm2~1014/cm2;
S3:将步骤S2中的所述中子束对步骤S1中的所述铁电存储器进行辐照,当达到步骤S2的所述注量时停止辐照。
2.根据权利要求1所述的一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法,其特征在于,在步骤S1中,用杜邦线将所述铁电存储器管脚短接。
3.根据权利要求1所述的一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法,其特征在于,还包括以下步骤:
S4:将经过步骤S1、步骤S2和步骤S3辐照后的铁电存储器焊接到印刷电路板中,测试铁电存储器是否实现正常的读出和写入功能,剔除功能异常的铁电存储器,将功能正常的铁电存储器作为实验组;
S5:设置一组未经中子进行预辐照的铁电存储器,并焊接到印刷电路板中,测试铁电存储器是否实现正常的读出和写入功能,剔除功能异常的铁电存储器,将功能正常的铁电存储器作为对照组;
S6:选择能量5×107eV~9×107eV的质子束,注量率为1×106/cm2·s~5×107/cm2·s;
S7:将步骤S4和步骤S5筛选出功能正常的实验组铁电存储器和对照组铁电存储器同时写入单片机中,执行每个周期的循环读出操作,当读出操作开始时,打开步骤S6中的质子束,将对照组和实验组在能量以及注量率均相同的质子束下进行辐照,当注量累计到1×108/cm2~1×109/cm2时停止辐照,得到实验组以及对照组的扰动截面。
4.根据权利要求3所述的一种铁电存储器的抗单粒子扰动的加固方法,其特征在于,步骤S7中的单片机为5555单片机。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的