[发明专利]一种表面单荧光分子介孔纳米传感器的制备方法及应用

权利要求书

1.一种表面单荧光分子介孔纳米传感器的制备方法及应用，其特征在于：(1)以正硅酸乙酯(TEOS)和氨基硅烷共同作为硅源，通过溶胶凝胶法合成表面氨基化的介孔二氧化硅颗粒；(2)以各种酸为原料通过酰氯法合成酰氯；(3)通过酰胺化反应制备表面单荧光分子的介孔纳米传感器；(4)将该传感器在水浴中加热处理一段时间。

2.如权利要求1所述的一种表面单荧光分子介孔纳米传感器的制备方法及应用，其特征在于：所述的氨基硅烷为:3-氨基丙基三乙氧基硅烷，氨乙基氨丙基甲基二甲氧基硅烷，3-氨基丙基三甲氧基硅烷等等。

3.如权利要求1所述的一种表面单荧光分子介孔纳米传感器的制备方法及应用，其特征在于：所述的以正硅酸乙酯(TEOS)和氨基硅烷共同作为硅源，其体积比为1：(0.05~0.2)。

4.如权利要求1所述的一种表面单荧光分子介孔纳米传感器的制备方法及应用，其特征在于：以乙二胺四乙酸、草酸、硼酸和柠檬酸等其中的一种为原料通过酰氯法合成酰氯。

5.如权利要求1所述的一种表面单荧光分子介孔纳米传感器的制备方法及应用，其特征在于：酰胺化反应需要以四氢呋喃、石油醚、乙腈或甲苯中的一种作为溶剂。

6.如权利要求1所述的一种表面单荧光分子介孔纳米传感器的制备方法及应用，其特征在于：该传感器表面通过酰胺化反应只连接一层柠檬酸，反应时间为3~12小时。

7.如权利要求1所述的一种表面单荧光分子介孔纳米传感器的制备方法及应用，其特征在于：硅源中的氨基硅烷和柠檬酰氯反应合成的分子就是荧光分子。

8.如权利要求1所述的一种表面单荧光分子介孔纳米传感器的制备方法及应用，其特征在于：该传感器在100℃水浴中加热处理10~60分钟。

9.如权利要求1所述的一种表面单荧光分子介孔纳米传感器的制备方法及应用，其特征在于：该表面单荧光分子的介孔纳米传感器即可以检测又可以吸附除去汞离子。