[发明专利]一种阵列基板及制造该阵列基板的掩膜板有效
申请号: | 201810319342.8 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN108520882B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 刘司洋;徐向阳 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G03F1/38;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 制造 掩膜板 | ||
本发明提供一种阵列基板及其制造用的掩膜板,所述掩膜板包括用于形成薄膜晶体管中源极和漏极的源极图块和漏极图块;所述源极图块与所述阵列基板的源极相对应,所述漏极图块与所述阵列基板的漏极相对应;其中,所述源极图块和/或所述漏极图块包括位于其边缘的凸起状补偿图块。
技术领域
本发明涉及显示面板领域,尤其涉及一种阵列基板及制造该阵列基板的掩膜板。
背景技术
在TFT-LCD显示领域中,随着对画面分辨率的不断提高,像素尺寸不断减小,对设计和制程提出了更高的要求。在制程能力限制的情况下,普通的像素设计方法一般只能将线宽做到3um以上。在制程能力限制的情况下,若将光罩(Mask)上线宽设计得很窄(3um),则实际做出来的图形可能不能得到预想的宽度,出现断线或者线宽不均的现象。对于TFT-LCD面板内尤其关键的器件TFT,一般的实际如附图1所示。若当D、S减小到很小时(3um),TFT实做就会出现断线或不均,从而降低面板的品质。
综上所述,现有技术的TFT-LCD面板,在TFT制备过程中,当Mask线宽设计得很窄时,TFT就会出现断线或不均,从而降低面板的品质。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及制造该阵列基板的掩膜板,能够将掩膜板的线宽设计的很窄,满足更小尺寸的TFT设计需求,避免TFT出现断线或不均现象,进而提高显示面板的性能。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种阵列基板,包括:
基板;
漏极,制备于所述基板上,所述漏极的纵截面的形状为马蹄状,所述纵截面为平行于所述基板的截面;
源极,所述源极对应所述漏极的凹部制备于所述基板上,且与所述漏极绝缘设置;
其中,所述漏极与所述源极的线宽均小于5um,且所述漏极以及所述源极各处线宽均保持均一。
本发明还提供一种制造阵列基板的掩膜板,所述掩膜板包括用于形成薄膜晶体管中源极和漏极的源极图块和漏极图块;
所述源极图块与所述阵列基板的所述源极相对应,所述漏极图块与所述阵列基板的所述漏极相对应;
其中,所述源极图块和/或所述漏极图块包括位于其边缘的凸起状补偿图块。
根据本发明一优选实施例,所述漏极图块包括沿所述漏极图块轮廓线均匀分布的凸起状的第一补偿图块,所述第一补偿图块通过所述漏极图块的边缘部位向外延伸形成。
根据本发明一优选实施例,所述第一补偿图块包括为锯齿状,所述第一补偿图块的齿尖朝向外侧,齿根到齿尖的长度范围为0.2um~2um。
根据本发明一优选实施例,所述漏极图块还包括用于形成实际所需线宽的第一本体图块,所述第一本体图块的宽度小于5um。
根据本发明一优选实施例,所述漏极图块包括至少一个由所述漏极图块端部向外凸起形成的第二补偿图块。
根据本发明一优选实施例,所述第二补偿图块的形状为矩形,且边长的范围在0.2um~2um。
根据本发明一优选实施例,所述源极图块包括沿所述源极图块轮廓线均匀分布的凸起状的第三补偿图块,所述第三补偿图块通过所述源极图块的边缘部位向外延伸形成。
根据本发明一优选实施例,所述源极图块包括至少一个由所述源极图块端部向外凸起形成的第四补偿图块;所述源极图块还包括用于形成实际所需线宽的第二本体图块,所述第二本体图块的宽度小于5um。
根据本发明一优选实施例,所述第三补偿图块包括为锯齿状,所述第三补偿图块的齿尖朝向外侧,齿根到齿尖的长度范围为0.2um~2um;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的