[发明专利]一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池，其特征在于：电池结构分为若干层，自上而下为：Ag/ITO/MoO_x/SiO_y/n-c-Si/SiO_y/LiF_z/Al，其中Ag为金属银，ITO为掺锡氧化铟透明导电薄膜，MoO_x为氧化钼，x＝2.3～3.0，SiO_y为氧化硅，y＝1.5～2.0，n-c-Si为n型单晶硅，LiF_z为氟化锂，z＝0.8～1.0，Al为金属铝。

2.一种权利要求1所述太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：

1)硅片的清洗：把硅片放入浓度为10～15％的KOH溶液中，在80～85℃温度下反应15～20分钟，然后采用RCA标准清洗法对硅片进行表面清洗，清除表面污染杂质，再把硅片放入浓度为3～5％的HF溶液中浸泡2～3分钟；

2)生长超薄SiO_y层：利用油浴加热的方式把61-68wt％的HNO₃溶液加热到113-121℃，然后把步骤1)清洗好的硅片浸泡在其中，时间为10～20分钟；

3)生长LiF_z层和Al电极：将步骤2)所得的硅片放入蒸镀腔，腔体的真空度优于1×10^-3Pa，硅片的正面用掩膜板盖住，并用锡箔包裹，首先在硅片的背面蒸镀LiF_z层，速率为0.05nm/s，时间为10～30s，随后在LiF_z层上面蒸镀Al电极，速率为1nm/s，时间为200～300s；

4)生长MoO_x、ITO和Ag电极：将步骤3)所得的硅片放入溅射腔，腔体的本底真空度优于1×10^-3Pa，工作气体为氩气，工作气压为0.5Pa，溅射功率为25W，衬底温度为200℃。首先，依次在硅片正面生长10nm厚的MoO_x和80nm厚的ITO层。然后，利用掩膜板在ITO上面溅射一层指叉状的Ag电极，厚度为200～500nm。