[发明专利]荧光体和发光装置有效

专利信息
申请号: 201810319756.0 申请日: 2018-04-11
公开(公告)号: CN108998024B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 新田充;长尾宣明 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: C09K11/79 分类号: C09K11/79;C09K11/80;H01L33/50
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 白丽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 荧光 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种荧光体,其是含有具有化学组成为(Y1-x-y,Cex,Lay)αSiβ-zAlzNγO的晶体相的荧光体,其中,

所述α满足5.5≤α≤6.5,

所述β满足9.5≤β≤12.5,

所述γ满足17.5≤γ≤22.5,

所述x满足0<x≤0.1,

所述y满足0<y≤0.4,

所述z满足0≤z≤0.5,

所述荧光体的发光光谱在波长为600nm以上且660nm以下的范围内包含峰。

2.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述荧光体的激发光谱在波长为470nm以上且550nm以下的范围内包含第一峰。

3.根据权利要求2所述的荧光体,其中,所述激发光谱在波长为480nm以上且550nm以下的范围内包含所述第一峰。

4.根据权利要求2或3所述的荧光体,其中,所述激发光谱进一步在波长为350nm以上且小于470nm的范围内包含第二峰。

5.根据权利要求1所述的荧光体,其中,所述y满足0<y≤0.3。

6.根据权利要求1~3中任一项所述的荧光体,其中,所述晶体相的1/e发光寿命为100ns以下。

7.根据权利要求6所述的荧光体,其中,所述晶体相的所述1/e发光寿命为50ns以下。

8.根据权利要求1~3中任一项所述的荧光体,其中,所述发光光谱的所述峰的半幅值为100nm以上。

9.根据权利要求8所述的荧光体,其中,所述发光光谱的所述峰的所述半幅值为150nm以上。

10.一种发光装置,其具备:

激发光源,该激发光源发出波长为600nm以下的光;和

第一荧光体,其为权利要求1~9中任一项所述的荧光体,其被照射所述激发光源发出的所述光,发出比所述光的波长长的荧光。

11.根据权利要求10所述的发光装置,其中,所述激发光源发出的所述光是波长为480nm以上且600nm以下的光。

12.根据权利要求10所述的发光装置,其中,所述激发光源发出的所述光是波长为420nm以上且480nm以下的光。

13.根据权利要求10~12中任一项所述的发光装置,其中,所述激发光源为LED或LD。

14.根据权利要求10~12中任一项所述的发光装置,其进一步具备第二荧光体,该第二荧光体被照射所述激发光源发出的所述光,发出比所述光的波长长的荧光,

所述第二荧光体的发光光谱在波长为480nm以上且小于600nm的范围内包含峰。

15.根据权利要求14所述的发光装置,其进一步具备第三荧光体,该第三荧光体被照射所述激发光源发出的所述光,发出比所述光的波长长的荧光,

所述第三荧光体发出绿色光,

所述第二荧光体是发出黄色光的荧光体。

16.根据权利要求10所述的发光装置,其中,

所述激发光源发出绿色光和蓝色光,

所述绿色光在480nm以上且550nm以下的范围内具有峰值波长,

所述蓝色光在430nm以上且470nm以下的范围内具有峰值波长。

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