[发明专利]一种电缆半导电断口处理方法在审
申请号: | 201810320146.2 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN108539672A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 缪炜庭;张宝磊;梁栋 | 申请(专利权)人: | 江苏中天科技电缆附件有限公司 |
主分类号: | H02G1/14 | 分类号: | H02G1/14 |
代理公司: | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人: | 戴朝荣 |
地址: | 226009 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导电带 半导电 导电屏蔽层 加热硫化 加热带 断口 刮除 电缆 绝缘层 半导电屏蔽层 光滑平整 导电带 过渡处 交界面 再使用 硫化 屏蔽 绝缘 打磨 保证 | ||
本发明公开了一种电缆半导电断口处理方法,首先对半导电屏蔽层进行初步刮除;然后在绝缘层和半导电屏蔽层均匀的缠上1‑2层半导电带,再使用加热带对半导电带进行加热硫化。本发明对半导电屏蔽层进行初步刮除后无需打磨,使用加热带对这种半导电带进行加热硫化。硫化后的半导电带比较稳定,可以保证半导电屏蔽处与绝缘交界面过渡处的光滑平整。
技术领域
本发明涉及电缆技术领域,具体涉及一种电缆半导电断口处理方法。
背景技术
在处理半导电断口时,主要靠玻璃片剥除半导电屏蔽层。必须保证半导电屏蔽层前端一定尺寸内均匀过渡为锥面。玻璃片刮除之后再用砂纸进行打磨,必须保证半导电屏蔽处与绝缘交界面过渡处的光滑平整。绝缘层与半导电交界面处难以保证绝对的光滑过渡,需要施工人员有较高的处理手法。且用玻璃片处理之后需要反复打磨,耗时较长。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种电缆半导电断口处理方法,保证半导电屏蔽处与绝缘交界面过渡处的光滑平整。
为解决上述技术问题,本发明采取如下技术方案:一种电缆半导电断口处理方法,首先对半导电屏蔽层进行初步刮除;然后在绝缘层和半导电屏蔽层均匀的缠上1-2层半导电带,再使用加热带对半导电带进行加热硫化。
进一步地,采用刮除装置对半导电屏蔽层进行刮除;所述的刮除装置包括刮除刀片、角度调节支架、旋转块、轴承、过渡块和底座;所述刮除刀片安装于角度调节支架上;所述的角度调节支架安装于所述的旋转块内侧;所述旋转块通过轴承安装于所述过渡块的内部;所述的过渡块设置在底座内。
进一步地,所述的角度调节支架包括活动支架体、设置于活动支架体后侧的带有轴孔的轴座一以及设置于旋转块内侧的带有轴孔的轴座二;所述的轴座一和所述的轴座二通过螺栓和螺母连接;所述的刮除刀片安装于所述活动支架体内侧。
进一步地,所述的刮除刀片通过螺丝可拆卸的安装于角度调节支架的活动支架体内侧。
进一步地,所述的旋转块采用手动驱动的方式驱动旋转块转动。
进一步地,所述的角度调节支架安装于间距调节块的内侧,所述的间距调节块通过螺栓安装于所述的旋转块内侧,所述间距调节块通过螺栓与所述的旋转块可拆卸连接,并且通过螺栓调节间距调节块与旋转块之间的间距。
进一步地,所述的底座包括左半座体和右半座体,所述的左半座体和所述的右半座体内均设置有用于放置过渡块的凹槽;所述的左半座体和所述的右半座体通过螺栓连接。
进一步地,使用加热带对半导电带进行加热硫化的温度为150℃左右。
本发明的有益效果:本发明对半导电屏蔽层进行初步刮除后无需打磨,使用加热带对这种半导电带进行加热硫化。硫化后的半导电带比较稳定,可以保证半导电屏蔽处与绝缘交界面过渡处的光滑平整。本发明的刮除装置可以调节半导电屏蔽层断口处的角度和长度,适用于不同外径的电缆。
附图说明
为了更清晰地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的结构示意图。
图2为本发明的俯视图。
具体实施方式
下面将通过具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
如图1所示,为本发明的一种电缆半导电断口处理方法,首先对半导电屏蔽层进行初步刮除;然后在绝缘层和半导电屏蔽层均匀的缠上1-2层半导电带,再使用加热带对半导电带进行加热硫化。
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