[发明专利]积项和加速器阵列

权利要求书

1.一种用于产生积项和的装置，包括：

可变电阻单元的阵列，该阵列中的每个可变电阻单元包括并联连接的可编程阈值晶体管以及电阻器，该阵列包括n个单元行，该n个单元行包括串联连接的单元串以及m个单元列；

使用对应于相应单元的权重因子W_mn的阈值来编程该阵列中该可编程阈值晶体管；

m个输入驱动器，耦接该m个单元列中的对应单元列，该m个输入驱动器选择性地施加输入X_m至该m个单元列；

n个行驱动器，将电流I_n施加到该n个单元行中的对应单元行，以产生对应输入X_m至该m个单元列的一加总电压，该加总电压对应于相应单元的权重因子W_mn；以及

电压感测电路，操作地耦接至该n个单元行，以感测该加总电压。

2.根据权利要求1所述的装置，其中该可编程阈值晶体管是电荷捕捉存储晶体管，且控制和偏压电路用以将编程偏压电压施加至该阵列中的该可编程阈值晶体管 ，以选择性地设定这些单元中该可编程阈值晶体管中的该阈值。

3.根据权利要求2所述的装置，其中该可变电阻单元中的该电阻器包括位在该电荷捕捉存储晶体管中的一埋设注入电阻器。

4.根据权利要求2所述的装置，其中该可变电阻单元中的该可编程阈值晶体管是浮栅极电荷捕捉晶体管，且该可变电阻单元中的该电阻器包括位在该浮栅极电荷捕捉晶体管中的一埋设注入电阻器。

5.根据权利要求2所述的装置，其中该可变电阻单元中的该可编程阈值晶体管是介电电荷捕捉晶体管，且该可变电阻单元中的该电阻器包括位在该介电电荷捕捉晶体管中的一埋设注入电阻器。

6.根据权利要求1所述的装置，其中该阵列中的单元被配置成包括一个或多个构件的功能集合，实现一积项和函数的各项次X_iW_i，每个功能集合接收对应的项次输入X_i和项次权重W_i，该项次权重是该功能集合的该一或多个构件的可编程阈值的函数。

7.根据权利要求1所述的装置，其中该阵列中的单元被配置成功能集合，该功能集合包括在行n上串联连接的多个构件，且该功能集合中的这些单元中的这些电阻器具有不同的电阻值，该功能集合实现一积项和函数的项次X_iW_i，该功能集合接收对应的项次输入X_i并具有项次权重W_i，该项次权重是该功能集合的这些构件的可编程阈值的函数。

8.根据权利要求1所述的装置，其中该阵列中的单元被配置成功能集合，该功能集合包括设置在该阵列中的不同行上的多个构件，且该功能集合中的这些单元中的这些电阻器具有不同的电阻值，该功能集合实现一积项和函数的项次X_iW_i，该功能集合接收对应的项次输入X_i并且具有项次权重W_i，该项次权重是该功能集合的这些构件的可编程阈值的函数；以及该电压感测电路包括电压加总电路，其操作地连接到在该功能集合中的这些单元行上产生的加总电压。

9.根据权利要求8所述的装置，其中该电压感测电路将固定比例的权重因子应用到加总不同行上的电压，该项次权重是该功能集合的这些构件的可编程阈值以及该固定比例的函数。