[发明专利]一种基于高能球磨法制备AWO4单相陶瓷的方法

权利要求书

1.一种基于高能球磨法制备AWO₄单相陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、通过高能球磨法在30 min内制备AWO4 (A = Ca, Ba)单相粉体；

S2、将所得的AWO4 (A = Ca, Ba)单相粉体经过30 h球磨后，细化得到110~120 nm大小的纳米粉体；

S3、将所得的纳米粉体在900 ~1000 oC下低温制备出高致密度的AWO4 (A = Ca, Ba)单相陶瓷。

2.如权利要求1所述的一种基于高能球磨法制备AWO₄单相陶瓷的方法，其特征在于，所述步骤S2使用Pulverisette 4行星高能球磨机对前驱粉体进行球磨，球磨罐与磨球介质都为碳化钨，按球：料：去离水比为20：1：1.5的比例放入球磨罐中球磨，球磨转速为300/450rpm，在球磨过程中每球磨60分钟，需要停止冷却30分钟。

3.如权利要求1所述的一种基于高能球磨法制备AWO₄单相陶瓷的方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括如下步骤：

球磨完成后出料干燥，随后再进行造粒、压片成型，加入浓度为5 wt% 的聚乙烯醇（PVA）作为粘合剂造粒，过筛后在约198 MPa的压力下，压制成厚度大约为4-6 mm、直径为10mm的圆柱状块体；将压好的块体放在炉中，在825~1025℃温度下进行烧结成瓷，烧结过程中需要在500 ^oC时进行排胶3 h，升温速率为1 °C/min，保温3 h后降温，降温速率为1 °C/min。

4.如权利要求1所述的一种基于高能球磨法制备AWO₄单相陶瓷的方法，其特征在于，CaWO₄陶瓷的最佳烧结温度为900 °C，相对密度高达98%，微波介电性能：= 10.7，Q × f =62,100 GHz，。

5.如权利要求1所述的一种基于高能球磨法制备AWO₄单相陶瓷的方法，其特征在于，BaWO₄陶瓷的最佳烧结温度为1000 °C，相对密度为97%，其微波介电性能为：= 8.5，Q × f =58,800 GHz，。