[发明专利]叔胺光敏剂、其制备方法、包含其的感光性树脂组合物及感光性树脂组合物的应用

说明书

本发明公开了一种叔胺光敏剂、其制备方法、包含其的感光性树脂组合物及感光性树脂组合物的应用。该叔胺光敏剂至少含有一种通式(I)所示的叔胺衍生物；本发明的叔胺光敏剂对波长350～410nm的光源灵敏性高，采用其制备的感光性树脂组合物对使用任意一种单一波长光源进行描绘时都可以得到充分的分辨率、稳定的生产量，且这种叔胺光敏剂树脂相容性好，添加该叔胺光敏剂的感光性树脂组合物干燥后不会产生析出物，可采用直接描绘曝光法来制备光致抗蚀膜、抗蚀图案及印刷电路板。

技术领域

本发明涉及感光材料技术领域，具体而言，涉及一种叔胺光敏剂、其制备方法、包含其的感光性树脂组合物及感光性树脂组合物的应用。

背景技术

近年来，印刷电路板大都采用光刻法制造，所谓光刻法是指将感光性树脂组合物涂布在基板上，进行图案曝光，使该感光性树脂组合物的曝光部聚合固化，然后将未曝光部采用显影液去除，在基板上形成抗蚀图案，再蚀刻或镀覆处理，最后将该抗蚀图案从该基板上剥离去除，从而在基板上形成导体图案。

作为抗蚀图案的形成方法，以往一直使用以水银灯作为光源通过光掩膜而进行曝光的方法，但近年来开始使用数字光学处理或激光直接成像的方法，将图案的数字数据描绘于感光性树脂组合物层的直接描绘方法。该直接描绘曝光法由于位置对其精度比通过光掩膜的曝光法更为良好，可获得高精细的图案，因此特别适合用于高精度封装基板的制作中。上述的曝光法中，光源使用激光等单色光，存在有与以往的通过光掩膜的曝光法相比需要更多的曝光时间的倾向。另外，由于目前的感光性树脂组合物或光致抗蚀膜是对以365nm的光线为中心的水银灯光源的全波长曝光设计的，因此，例如，在通过用滤光器等截断了99.5％以上的水银灯光源中波长365nm以下的光线得到的活性光线或半导体激光的波长405nm的光线进行的曝光，难以得到充分的分辨率和良好的抗蚀剂图案。在调整光固化体系中组分的同时添加光敏剂，是缩短曝光时间，提高感光树脂组合物的有效手段，例如现有技术文献JP2005208561、JP2006154740、JP2010093694中均有报道。其中专利文献JP2010093694中使用的一种含联苯胺衍生物增感剂(又称光敏剂)的感光性树脂组合物对355nm、365nm以及405nm的任一种光源都具有充分的灵敏度及分辨率、稳定的生产量，更优于其它含吡唑啉增感剂的感光性组合物。

但应用时发现联苯结构胺衍生物增感剂在溶剂中的溶解性低，将感光性树脂组合物涂布在支撑薄膜上并进行干燥后产生增感剂析出的现象，因此在化合物溶解度方面存在改善的余地。

发明内容

本发明旨在提供一种叔胺光敏剂、其制备方法、包含其的感光性树脂组合物及感光性树脂组合物的应用，以解决现有技术中存在将感光性树脂组合物干燥后光敏剂析出的技术问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种叔胺光敏剂。该叔胺光敏剂至少含有一种通式(I)所示的叔胺衍生物；

其中，A选自下列任一种基团：其中*表示链接位；

R₁选自C₁-C₁₀的直链或支链烷基，任选地，其中的-CH₂-被氧、硫或亚苯基所取代；

R₂和R₃各自独立地表示氢、C₁-C₁₀的直链或支链烷基，任选地，其中的-CH₂-被氧、硫或亚苯基所取代；

R₄选自-H、C₁-C₁₀的直链或支链烷基、或C₃-C₁₀的环烷基；